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阈值前电压:一种无需自加热的低元件计数温度敏感电参数
Prethreshold Voltage as a Low-Component Count Temperature Sensitive Electrical Parameter Without Self-Heating
Richard Mandeya · Cuili Chen · Volker Pickert · R. T. Naayagi · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年4月
本文提出了一种新型温度敏感电参数(TSEP)——阈值前电压,用于测量IGBT结温。相比传统TSEP,该方法无需电流传感器,降低了硬件复杂度和数据处理成本,且在测量过程中避免了自加热效应,为功率器件的实时结温监测提供了低成本、高精度的解决方案。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线(组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能变流器)具有极高的应用价值。IGBT作为上述产品的核心功率开关器件,其结温监测直接关系到系统的可靠性与寿命。该方法无需额外传感器,能有效降低硬件成本,且避免了自加热干扰,非常适合集成到iSolarC...
一种基于新型栅极导通模型的SiC MOSFET在线结温监测方法
An Online Junction Temperature Monitoring Method for SiC MOSFETs Based on a Novel Gate Conduction Model
Qinghao Zhang · Pinjia Zhang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年10月
结温监测是SiC器件高可靠性的基础。由于高开关频率,传统热敏电参数(TSEP)方法在SiC MOSFET上的监测性能较差。研究发现栅极电流IG是有效的TSEP,本文提出了一种基于新型栅极导通模型的在线结温监测方法,以解决SiC器件在复杂工况下的热应力监测难题。
解读: 随着阳光电源在组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率,器件的可靠性成为核心挑战。该研究提出的基于栅极电流的在线结温监测方法,无需额外传感器,可直接集成于驱动电路中,有助于实现逆变器及PCS的实时热状态感知与寿命预测。建议研...
基于关断延迟时间的高压大功率IGBT模块结温提取方法
Junction Temperature Extraction Approach With Turn-Off Delay Time for High-Voltage High-Power IGBT Modules
Haoze Luo · Yuxiang Chen · Pengfei Sun · Wuhua Li 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年7月
本文探讨了利用关断延迟时间作为热敏电参数(TSEP),实现高压大功率IGBT模块结温提取的方法。研究重点分析了开尔文发射极与功率发射极之间的寄生电感对该参数的影响,为功率半导体器件的实时结温监测提供了理论依据。
解读: 该研究对于阳光电源的核心产品线(如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统)具有极高的应用价值。大功率IGBT是上述产品的核心功率器件,其结温直接决定了系统的可靠性与寿命。通过关断延迟时间实现非侵入式的实时结温监测,可优化阳光电源iSolarCloud平台的健康状...
基于拐点更新I-V特性的IGBT结温在线精确估计
Accurate Online Junction Temperature Estimation of IGBT Using Inflection Point Based Updated I–V Characteristics
Abhinav Arya · Abhishek Chanekar · Pratik Deshmukh · Amit Verma 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年9月
IGBT结温(Tj)的精确估计对电力电子变换器的可靠运行至关重要。本文利用高集电极电流下的导通压降(Vce)作为温度敏感电参数(TSEP),提出了一种基于I-V特性拐点更新的实时结温估计方法,旨在解决器件老化及工况变化对温度监测精度的影响。
解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。在组串式和集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能变流器以及风电变流器中,IGBT作为核心功率器件,其结温直接决定了系统的寿命与过载能力。通过引入基于拐点的实时结温监测算法,iSolarCloud智能运维平台可实现更精准的器件健康状态(...
一种不受键合线故障影响的动态结温估算TSEP方法
IGBT Junction Temperature Estimation Using a Dynamic TSEP Independent of Wire Bonding Faults
Wuyu Zhang · Lei Qi · Kun Tan · Bing Ji 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年4月
针对现有IGBT结温估算方法易受器件老化及工况影响的问题,本文提出一种新型动态温度敏感电参数(TSEP)。该方法通过解耦老化状态(特别是键合线故障)与结温变化,实现了在复杂工况下对IGBT结温的精确在线监测,为电力电子器件的可靠性评估提供了新方案。
解读: 结温监测是提升阳光电源核心产品可靠性的关键。该技术可深度集成于组串式逆变器(如SG系列)及大型储能系统(如PowerTitan)的功率模块中。通过引入不受键合线老化干扰的TSEP估算方法,阳光电源可实现更精准的功率器件寿命预测与健康管理(PHM),从而优化iSolarCloud平台的运维策略。建议研...
基于最大恢复电流di/dt的高功率P-i-N二极管芯片温度在线提取与预测方法
Online High-Power P-i-N Diode Chip Temperature Extraction and Prediction Method With Maximum Recovery Current di/dt
Haoze Luo · Wuhua Li · Xiangning He · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年5月
本文针对高功率转换器中P-i-N二极管结温监测难题,分析了现有热敏电参数(TSEP)方法的局限性。提出了一种利用最大反向恢复电流变化率(di/dt)作为TSEP的新方法,实现了半桥拓扑下二极管芯片温度的在线提取与预测,为提升高功率电力电子设备的可靠性提供了有效手段。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线(如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能变流器)具有极高价值。高功率模块的结温监测是提升系统可靠性和功率密度的关键。通过引入di/dt作为TSEP,可在不增加额外传感器的情况下,实现对IGBT模块中二极管的实时健康状态监控,有助于优化i...
基于栅极雪崩阈值电压的高精度IGCT结温监测新方法
Novel IGCT Junction Temperature Monitoring Method With High Precision Based on Gate Avalanche Threshold Voltage
Han Wang · Chunpin Ren · Jiapeng Liu · Zhengyu Chen 等13人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月
针对集成门极换流晶闸管(IGCT)的可靠性,本文提出了一种基于栅极雪崩阈值电压的结温监测新方法。传统温度敏感电参数(TSEP)方法因灵敏度低(<2 mV/K),精度仅达±5 K。该方法通过利用栅极雪崩特性,显著提升了结温监测的精度,为高功率电力电子器件的实时热状态监控提供了有效方案。
解读: IGCT主要应用于超大功率电力电子领域,如中高压大功率变流器。虽然阳光电源目前的主流产品(组串式/集中式逆变器、储能PCS)多采用IGBT或SiC模块,但该研究提出的高精度结温监测方法对于提升大功率电力电子设备的可靠性具有借鉴意义。建议研发团队关注该TSEP方法在IGBT模块上的迁移应用,通过提升功...
SiC MOSFET热瞬态测量性能指标研究
Figures-of-Merit Study for Thermal Transient Measurement of SiC MOSFETs
Yi Zhang · Yichi Zhang · Voon Hon Wong · Sven Kalker 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月
本文探讨了利用温度敏感电参数(TSEP)进行热瞬态测量(TTM)的方法。针对TTM测量值是否能准确反映功率半导体器件真实温度或热结构的问题,研究了其性能指标,旨在提升SiC MOSFET热特性分析的准确性与可靠性。
解读: 随着阳光电源在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及电动汽车充电桩中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率,器件的热管理至关重要。本文研究的TTM方法及TSEP技术,可直接指导研发团队对SiC功率模块进行更精确的热结构表征与寿命评估。建议将该研究成果应用于iSolarCloud智能...
一种通过关断延迟时间灵敏度放大实现SiC MOSFET结温实时监测的新方法
A Novel Method for Real-Time Junction Temperature Monitoring of SiC Mosfet Through Sensitivity Amplification of Turn-Off Delay Time
Xiaohui Lu · Laili Wang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年8月
结温是SiC功率器件热管理与健康监测的关键参数。本文提出一种基于温度敏感电参数(TSEP)的方法,通过放大关断延迟时间的灵敏度,实现了SiC MOSFET结温的实时监测。该方法克服了传统TSEP在宽温度范围内线性度不足的问题,为提升功率模块的可靠性提供了有效手段。
解读: 该技术对阳光电源的SiC应用至关重要。随着公司在组串式光伏逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模导入SiC MOSFET以提升功率密度和效率,精准的结温监测是实现器件寿命预测与主动热管理的核心。该方法可集成于iSolarCloud智能运维平台,通过实时监控核心功率模块的结...
一种基于关断栅极电量的IGBT结温监测方法
A Converter-Level Junction Temperature Monitoring Method for IGBT Based on the Turn-OFF Gate Electric Quantities
Kexin Yang · Bi Liu · Haoyang Tan · Pengcheng Xu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
结温是评估IGBT可靠性的关键指标。本文提出了一种基于栅极电量作为热敏电参数(TSEP)的非侵入式结温监测方法,旨在实现简单且高灵敏度的温度监测,为电力电子变换器的可靠性评估提供技术支撑。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线(光伏逆变器、储能PCS、风电变流器)具有极高的应用价值。IGBT作为上述产品的核心功率器件,其结温监测直接关系到设备在极端工况下的寿命预测与故障预警。通过采用栅极电量作为TSEP,无需额外传感器即可实现非侵入式监测,能够显著提升iSolarCloud智能运维平台对功率模...
一种基于新型高线性度TSEP的压接式IGBT在线结温监测方法
An Online Junction Temperature Monitoring Method for Press-pack IGBT Based on a Novel TSEP With a Good Linearity
Ziyang Zhang · Lin Liang · Liuyu Tu · Zhiyuan Zhang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年5月
针对压接式IGBT(PP IGBT)封装复杂导致结温(Tj)在线监测困难的问题,本文提出了一种基于虚拟阈值电压(Vv,th)的新型温度敏感电参数(TSEP)监测方法。该方法具有良好的线性度,能够有效提升高压大功率应用场景下器件的可靠性与运行寿命。
解读: 该技术对阳光电源的高压大功率产品线(如集中式光伏逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器)具有重要意义。这些产品广泛采用高压压接式IGBT模块,结温监测是实现器件健康状态管理(PHM)和寿命预测的核心。引入该高线性度TSEP监测方法,可优化逆变器在极端工况下的功率降额策略,提升系统可靠性,并...
基于反向恢复下降存储电荷的高压大功率p-i-n二极管结温在线提取方法
Online High-Power p-i-n Diode Junction Temperature Extraction With Reverse Recovery Fall Storage Charge
Haoze Luo · Yuxiang Chen · Wuhua Li · Xiangning He · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年4月
本文提出了一种高压大功率p-i-n二极管结温提取方法。研究发现,反向恢复电流下降时间内的扫出电荷受结温变化影响,可作为一种热敏电参数(TSEP)。该方法利用大功率IGBT模块的特定封装结构,实现了对二极管结温的在线监测。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线(如组串式/集中式逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统)具有极高的应用价值。在高温、高功率密度运行环境下,精确的结温监测是提升功率模块可靠性、实现主动热管理的关键。通过利用反向恢复电荷作为TSEP,无需额外传感器即可实现实时结温感知,有助于优化逆变器...
碳化硅功率器件结温提取:全面综述
Junction Temperature Extraction for Silicon Carbide Power Devices: A Comprehensive Review
Huiqing Wen · Xiaoyu Li · Fei Zhang · Zifeng Qu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月
考虑到成本较高、结温较高以及结温变化范围更广等因素,用碳化硅(SiC)器件完全取代硅器件仍面临诸多可靠性挑战。因此,近年来,SiC 器件的结温提取显得尤为重要。此外,鉴于最新出现的 SiC 器件结温提取方法,对这些方法进行全面综述,包括对其进行科学分类和系统评估至关重要。本文旨在填补这一空白。首先,将对 SiC 器件的结温提取方法进行分类,包括物理接触法、光学方法、电阻 - 电容热网络法和温度敏感电参数(TSEP)法。然后,从测量精度、适用性、成本、在线实现以及功率集成发展等不同角度,对 SiC...
解读: 碳化硅(SiC)功率器件的结温提取技术对阳光电源的核心业务具有重要战略意义。在光伏逆变器和储能变流器产品中,SiC器件凭借其高效率、高功率密度的优势正逐步替代传统硅基器件,但其更高的结温工作环境和成本压力也带来了可靠性管理的挑战。精准的结温监测技术是保障产品长期稳定运行、延长使用寿命的关键。 该综...
SiC MOSFET结构变异对温度估计中TSEP性能的影响
Impact of Structural Variation in SiC MOSFETs on TSEP Performances for Temperature Estimation
作者未知 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年5月
在电力电子变换器运行过程中,对碳化硅(SiC)金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)的温度进行精确监测至关重要。利用温度敏感电参数(TSEPs)实现在线实时温度监测是该领域一种很有前景的技术。然而,以往的研究并未充分考虑器件结构差异如何影响待监测参数的选择以及监测结果的准确性。本文对不同栅极结构的 SiC MOSFET 的温度敏感电参数进行了全面研究。详细分析了温度敏感电参数随器件温度变化的物理机制,并通过双脉冲测试进行了验证。这项对比研究揭示了器件温度对不同栅极结构 SiC ...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于SiC MOSFET温度监测技术的研究具有重要的实用价值。作为全球领先的光伏逆变器和储能系统供应商,我们的产品正加速向高功率密度、高效率方向发展,而SiC器件已成为新一代功率变换器的核心部件。 该研究聚焦于利用温度敏感电参数(TSEP)实现SiC MOSFET的在...
基于卷积神经网络的功率器件结温监测
Junction Temperature Monitoring of Power Devices Using Convolutional Neural Networks
Zhiliang Xu · Huimin Wang · Xinglai Ge · Yichi Zhang 等6人 · IEEE Transactions on Industry Applications · 2025年3月
基于温度敏感电参数(TSEP)的方法能够实现功率器件结温的精确监测(JTM)。然而,大多数温度敏感电参数易受负载电流和器件老化的影响而产生误差,从而降低了结温监测的准确性。为解决这一问题,本文提出了一种基于卷积神经网络(CNN)模型的结温监测方法,以应对这两个因素带来的不利影响。在该方法中,选择开通集电极电流($I_{C}$)作为温度敏感电参数,并通过数学模型深入分析了开通集电极电流的温度特性。此外,通过大量双脉冲测试全面研究了开通集电极电流的参数相关性。考虑到实际中负载电流影响显著且频繁变化的...
解读: 该CNN结温监测技术对阳光电源功率器件热管理具有重要应用价值。可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的SiC/GaN功率模块,通过实时监测IGBT/MOSFET结温实现预测性维护。相比传统TSEP方法,CNN自动特征提取克服了非线性补偿难题,无需额外传感电路即可从开关波形获取温度信息,适...
一种基于残余电阻的SiC MOSFET栅极退化无关在线结温估计方法
A Gate Degradation Independent Online Junction Temperature Estimation Method for SiC MOSFETs Based on Residual Resistance
Zhigang Zhao · Peng Wang · Tianyuan Chen · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月
结温估计对提升SiC MOSFET在实际应用中的可靠性至关重要。热敏电参数(TSEP)常被用于结温监测,但栅极退化会改变TSEP与温度的相关性,从而降低估计精度。本文提出了一种基于残余电阻的在线结温估计方法,该方法能够有效消除栅极退化对结温监测的影响,提高功率器件在长期运行中的可靠性。
解读: 随着阳光电源在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器中大规模应用SiC功率模块,器件的长期可靠性成为核心竞争力。该研究提出的栅极退化无关结温估计方法,能够解决SiC器件在复杂工况下因老化导致的测温漂移问题。建议将该算法集成至iSolarCloud智能运维平台或逆变器底层控制逻辑中,实...
基于组合TSEP建模的SiC MOSFET负载无关结温估计
Load-Independent Junction Temperature Estimation via Combined TSEPs Modeling for SiC MOSFETs
Meng Luo · Kun Tan · Xi Tang · Cungang Hu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月
结温精确估计对SiC MOSFET的可靠性与安全运行至关重要。本文提出了一种基于温度敏感电参数(TSEPs)的负载无关结温估计方法,利用组合TSEP建模技术,实现了非侵入式、快速响应的在线热监测,有效提升了功率器件在复杂工况下的可靠性评估精度。
解读: 该技术对阳光电源的核心业务至关重要。随着公司在光伏逆变器(如组串式SG系列)和储能系统(如PowerTitan系列)中大规模应用SiC器件以提升功率密度和效率,结温的精确监测直接决定了系统的可靠性与寿命。该负载无关的TSEP估计方法可集成至iSolarCloud平台或逆变器控制固件中,实现对功率模块...
基于关断米勒平台电流的IGBT结温在线监测方法
An Online Monitoring Method of IGBT Junction Temperature Based on Turn-Off Miller Plateau Current
Hu Cao · Kexing Yang · Pengcheng Xu · Jian Chen 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年1月
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)广泛应用于电力电子变换器中,其结温是评估器件可靠性的重要指标。本文采用关断过程中的米勒平台电流作为热敏感电参数(TSEP),实现对主功率电路的非侵入式监测。研究了米勒平台电流在栅极侧作为TSEP的特性及其与结温的关系,设计并分析了基于电流互感器(CT)的采样电路及参数计算方法,讨论了电路的不确定性和可积性。通过双脉冲测试和逆变器实验平台验证了理论分析的正确性,结果表明该方法从驱动侧即可实现对IGBT结温的高精度、高灵敏度监测,且采样电路结构简单,易于集成于驱动电路中...
解读: 该IGBT结温在线监测技术对阳光电源ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器具有重要应用价值。通过关断米勒平台电流实现非侵入式结温监测,可直接集成于现有驱动电路,无需额外传感器,降低成本的同时提升可靠性。该方法可应用于PowerTitan大型储能系统的热管理优化,实时监测IGBT工作状态,实现预测性维...
面向直流固态功率控制器
DC-SSPC)应用的改进型加速功率循环测试下SiC MOSFET退化特征的实时提取
Bin Yu · Li Wang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年5月
SiC MOSFET是直流固态功率控制器(DC-SSPC)的核心组件。通过实时在线监测SiC MOSFET的退化状态,可显著提升DC-SSPC的可靠性。目前,利用热敏电参数(TSEPs)间接监测退化存在测量误差,本文提出了一种改进的加速功率循环测试方法,旨在实现SiC MOSFET退化特征的实时提取,为电力电子系统的健康管理提供技术支撑。
解读: 该研究聚焦于SiC MOSFET的在线退化监测与可靠性评估,对阳光电源的功率器件应用具有重要参考价值。在阳光电源的组串式逆变器、PowerTitan储能变流器及电动汽车充电桩产品中,SiC器件已成为提升效率与功率密度的关键。通过引入该文提出的改进型功率循环测试与退化特征提取技术,可优化iSolarC...
基于非触发电流下栅极电压的高压晶闸管在线结温提取
Online Junction Temperature Extraction With Gate Voltage Under Nontrigger Current for High-Voltage Thyristor
Hui Meng · Ankang Zhu · Luwei Zuo · Haoze Luo 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年9月
本文提出了一种针对具有阴极短路结构的高压晶闸管的结温(Tj)提取方法。研究表明,非触发电流下的栅极电压(Vgk)是一种实用的温度敏感电参数(TSEP)。通过校准Vgk与结温之间的线性关系,可实现高压晶闸管的在线结温监测。
解读: 该研究关注高压功率器件的在线结温监测,虽然阳光电源目前的主力产品(如组串式逆变器、PowerTitan储能系统)多采用IGBT或SiC MOSFET,但在大型集中式光伏逆变器或高压直流输电相关应用中,晶闸管类器件仍有应用场景。该技术提供的TSEP(温度敏感电参数)在线监测思路,对于提升阳光电源大型电...
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