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基于组合TSEP建模的SiC MOSFET负载无关结温估计
Load-Independent Junction Temperature Estimation via Combined TSEPs Modeling for SiC MOSFETs
| 作者 | Meng Luo · Kun Tan · Xi Tang · Cungang Hu · Zekun Li · Bing Ji · Zhaofu Zhang · Wenping Cao |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 结温估计 TSEP 可靠性 电力电子 热监测 |
语言:
中文摘要
结温精确估计对SiC MOSFET的可靠性与安全运行至关重要。本文提出了一种基于温度敏感电参数（TSEPs）的负载无关结温估计方法，利用组合TSEP建模技术，实现了非侵入式、快速响应的在线热监测，有效提升了功率器件在复杂工况下的可靠性评估精度。
English Abstract
Junction temperature estimation with high precision is crucial to the reliability and safe operating of silicon-carbide (SiC) metal–oxide–semiconductor field-effect transistors (mosfets). Approaches using temperature-sensitive electrical parameters (TSEPs) are widely employed in the monitoring, offering the benefits of noninvasiveness and fast thermal response. This article proposes a load-indepen...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心业务至关重要。随着公司在光伏逆变器（如组串式SG系列）和储能系统（如PowerTitan系列）中大规模应用SiC器件以提升功率密度和效率，结温的精确监测直接决定了系统的可靠性与寿命。该负载无关的TSEP估计方法可集成至iSolarCloud平台或逆变器控制固件中，实现对功率模块的实时健康状态（SOH）监测，优化散热设计，并为故障预警提供数据支撑，从而降低运维成本，提升产品在极端环境下的竞争力。