找到 30 条结果
关于“用于SiC器件高频变换器中死区效应消除和同步整流的双调制波PWM”的勘误
Erratum to “A Double-Modulation-Wave PWM for Dead-Time-Effect Elimination and Synchronous Rectification in SiC-Device-Based High-Switching-Frequency Converters” [Dec 20 13500-13513]
Qingzeng Yan · Xibo Yuan · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年2月
本文是对IEEE电力电子学汇刊（IEEE Transactions on Power Electronics）原论文作者信息的更正说明。
解读: 该研究针对SiC器件在高频变换器中的死区效应及同步整流优化，对阳光电源的核心业务具有重要参考价值。随着公司组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC器件的应用已成为提升效率的关键。该双调制波PWM控制策略有助于进一步降低开关损...
硅与碳化硅混合多电平变换器：对航空工业及其他领域的影响
Hybrid Multilevel Converter With Silicon and Silicon Carbide Devices: Impact to Aviation Industry and Beyond
Di Zhang · Xu She · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年6月
本文介绍了结合硅（Si）和碳化硅（SiC）器件的混合多电平变换器专利技术。该方案通过将高频开关的SiC器件与基频开关的Si器件相结合，在成本与性能之间取得了平衡，并已在多个工业领域得到应用。
解读: 该混合多电平拓扑通过Si与SiC的优势互补，为阳光电源提升逆变器及储能变流器（PCS）的功率密度与效率提供了重要参考。在PowerTitan等大型储能系统或高功率组串式逆变器中，采用该技术可在保证成本竞争力的前提下，显著降低开关损耗并减小磁性元件体积。建议研发团队评估该混合拓扑在兆瓦级PCS中的应用...
用于中压碳化硅器件精确动态特性表征的改进型双脉冲测试
Improved Double Pulse Test for Accurate Dynamic Characterization of Medium Voltage SiC Devices
Haiguo Li · Zihan Gao · Ruirui Chen · Fei Wang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年2月
本文提出了一种改进的双脉冲测试（DPT）方法，用于精确表征中压（MV）碳化硅（SiC）器件的动态特性。文章分析了低压与中压DPT测试平台在接地方式上的差异及其对测量结果的影响，并深入探讨了测试电路中寄生参数对动态测试精度的干扰，为高压功率器件的评估提供了优化方案。
解读: 该研究对阳光电源的高压储能系统（如PowerTitan系列）及集中式光伏逆变器至关重要。随着公司产品向更高电压等级（如1500V及以上）演进，SiC器件的应用日益广泛。该改进型双脉冲测试方法能有效提升对中压SiC器件开关损耗和动态特性的评估精度，有助于优化逆变器及PCS的功率模块设计，降低开关损耗，...
基于先进η-ρ-σ多目标优化技术的硅与碳化硅光伏逆变器系统全生命周期成本分析
Comparative Life Cycle Cost Analysis of Si and SiC PV Converter Systems Based on Advanced η-ρ-σ Multiobjective Optimization Techniques
Ralph Mario Burkart · Johann W. Kolar · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年6月
本文提出了一种电力电子变换器系统的虚拟原型设计方法，通过效率、功率密度和成本的多目标优化，对不同变换器概念进行系统性基准测试。该框架基于详细且经实验验证的模型，重点对比了硅（Si）与碳化硅（SiC）器件在光伏逆变器中的应用表现。
解读: 该研究直接契合阳光电源在组串式及集中式逆变器中对SiC器件的应用趋势。通过η-ρ-σ多目标优化，可为公司在产品研发阶段平衡效率提升与成本控制提供理论支撑。对于PowerTitan等储能系统及高性能光伏逆变器，利用该虚拟原型设计方法能有效缩短研发周期，优化功率模块布局，提升系统功率密度。建议研发团队引...
一种用于中压SiC半桥驱动的高隔离门极驱动电源
A T-Shaped High Isolation Gate Driver Power Supply for Medium-Voltage SiC Half-Bridges
Fengjuan Zhang · Hao Feng · Li Ran · Jianyu Pan · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年8月
针对中压宽禁带器件，隔离能力与耦合电容之间的制约是实现紧凑、高可靠门极驱动电源（GDPS）的主要障碍。本文提出了一种采用定制T型磁芯和PCB线圈的松耦合变压器，在有限空间内实现了高隔离度与低耦合电容，有效提升了驱动电路的性能。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统具有重要参考价值。随着阳光电源向更高电压等级（如1500V及以上）的SiC应用迈进，高dv/dt带来的共模干扰问题日益突出。该T型磁芯变压器方案能显著降低驱动电路的耦合电容，抑制共模电流，提升SiC功率模块的开关可靠性...
一种抑制SiC基单相驱动器电机过电压的准三电平PWM方案
A Quasi-Three-Level PWM Scheme to Combat Motor Overvoltage in SiC-Based Single-Phase Drives
Mohamed S. Diab · Xibo Yuan · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年12月
宽禁带（WBG）功率器件的应用提升了电机驱动的功率密度与效率，但其高电压变化率（dv/dt）引发了严重的电机过电压振荡问题。本文提出了一种准三电平PWM调制方案，旨在有效抑制SiC器件在单相驱动应用中的电压尖峰，缓解电磁干扰及绝缘应力挑战。
解读: 该技术对阳光电源的功率器件应用及电机驱动类产品具有重要参考价值。随着SiC器件在光伏逆变器及储能PCS中的广泛应用，高dv/dt带来的EMI及绝缘老化问题日益突出。该准三电平PWM方案可优化逆变器输出波形，降低对电机或变压器绕组的电压应力，有助于提升阳光电源户用及工商业逆变器、电动汽车充电桩功率模块...
混合型有源中点钳位
ANPC）逆变器异常输出电压的消除
Min-Geun Song · Seok-Min Kim · Kyo-Beum Lee · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年5月
本文提出了一种消除三电平混合型有源中点钳位（ANPC）逆变器异常输出电压的方法。该拓扑通过将传统ANPC中的部分硅基（Si）器件替换为碳化硅（SiC）器件，实现了高开关频率和低功率损耗的优势。
解读: 该研究针对混合型ANPC拓扑中SiC器件应用带来的异常电压问题，对阳光电源的高功率密度组串式逆变器及大型集中式逆变器具有重要参考价值。随着阳光电源在光伏逆变器中大规模引入SiC器件以提升效率和功率密度，该技术方案有助于优化驱动逻辑与调制策略，提升产品在复杂工况下的输出波形质量与可靠性。建议研发团队在...
碳化硅功率器件结温提取技术综述
Junction Temperature Extraction for Silicon Carbide Power Devices: A Comprehensive Review
Huiqing Wen · Xiaoyu Li · Fei Zhang · Zifeng Qu 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月
随着碳化硅（SiC）器件在电力电子领域的广泛应用，其高结温及剧烈波动带来的可靠性挑战日益凸显。本文全面综述了SiC器件结温提取的最新研究进展，探讨了不同提取方法在提升系统可靠性方面的应用价值，为解决SiC器件在高温环境下的性能评估与寿命预测提供了重要参考。
解读: 结温监测是提升阳光电源SiC产品可靠性的核心技术。在PowerTitan储能系统及组串式光伏逆变器中，SiC器件的高频化应用显著提升了功率密度，但热应力管理成为关键。通过引入先进的结温提取算法，可实现对SiC模块的实时热状态监控，从而优化iSolarCloud平台的故障预警模型，实现从“事后维护”向...
一种用于SiC器件快速瞬态测量的简单且经济的方法
Simple and Affordable Method for Fast Transient Measurements of SiC Devices
David Garrido · Igor Baraia-Etxaburu · Joseba Arza · Manex Barrenetxea · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年3月
SiC器件的快速电压和电流瞬态测量需要高带宽探头，但商用探头昂贵且存在难以校准的延迟（去偏斜）。本文提出了一种简单且经济的测量方法，有效解决了SiC器件高频开关过程中的测量精度与时间对齐问题。
解读: 随着阳光电源在组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC功率模块以提升功率密度和效率，精准的瞬态测试对于优化驱动电路设计、抑制电压尖峰及提升系统电磁兼容性（EMC）至关重要。该方法降低了高带宽测试的门槛，有助于研发团队在实验室环境下更高效地评估SiC器件在极端...
SiC电机驱动中的反射波现象：后果、边界与抑制
Reflected Wave Phenomenon in SiC Motor Drives: Consequences, Boundaries, and Mitigation
Balaji Narayanasamy · Arvind Shanmuganathan Sathyanarayanan · Fang Luo · Cai Chen · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年10月
在基于电压源逆变器的电机驱动系统中，功率器件的高速开关特性引发了反射波现象。这不仅导致电机端过电压，还会引起逆变器端过电流，从而威胁电机绝缘及功率器件寿命。宽禁带（WBG）器件虽能降低开关损耗，但也加剧了该问题。
解读: 该研究对阳光电源的功率器件应用具有重要指导意义。随着公司在光伏逆变器和储能变流器（如PowerTitan、PowerStack系列）中大规模应用SiC器件，高dv/dt带来的反射波和电磁兼容问题日益突出。文章提出的反射波抑制策略可优化逆变器输出滤波设计，提升系统可靠性。建议研发团队在设计高频功率模块...
一种用于SiC器件高频变换器死区效应消除与同步整流的双调制波PWM方法
A Double-Modulation-Wave PWM for Dead-Time-Effect Elimination and Synchronous Rectification in SiC-Device-Based High-Switching-Frequency Converters
Qingzeng Yan · Xibo Yuan · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年12月
碳化硅（SiC）器件使功率变换器能实现100kHz以上的高频运行，但传统PWM死区会导致电压损失、低频谐波及线性调制范围缩减。本文提出一种双调制波PWM策略，通过消除死区效应并实现同步整流，有效提升了高频变换器的输出质量与效率。
解读: 该技术对阳光电源的高功率密度产品线至关重要。随着PowerTitan系列储能系统及组串式光伏逆变器向更高开关频率演进以减小磁性元件体积，死区效应带来的谐波和效率损失成为技术瓶颈。该双调制波PWM策略可直接应用于阳光电源的SiC基PCS及高频逆变器控制算法中，在提升转换效率的同时改善电能质量，有助于进...
通过无源抵消技术降低逆变器系统直流和交流侧共模电流
Common-Mode Current Reduction at DC and AC Sides in Inverter Systems by Passive Cancellation
Lihong Xie · Xibo Yuan · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年8月
PWM逆变器产生的共模电压会导致电磁干扰及漏电流问题，在光伏等应用中尤为突出。随着具有高dv/dt特性的碳化硅（SiC）器件应用普及，该问题愈发严重。本文提出了一种无源抵消方法，旨在有效抑制逆变器直流和交流侧的共模电流。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线（组串式逆变器及PowerTitan储能系统）具有重要参考价值。随着公司产品向高功率密度和高效率演进，SiC器件的应用已成趋势，但随之带来的高dv/dt引发的共模干扰和漏电流问题是产品可靠性设计的难点。该无源抵消方案无需复杂的有源补偿电路，有助于在保证电磁兼容性（EMC）...
一种基于电热交互与线性模式电流响应的高灵敏度功率MOSFET在线结温提取方法
A High-Sensitive Online Tj Extracting Method Based on Electrothermal Interaction and Linear-Mode Current Response for Power MOSFET Devices
Fengtao Yang · Laili Wang · Xiaoliang She · Zizhen Cheng 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年7月
准确的在线结温（Tj）提取对功率MOSFET的可靠性与健康管理至关重要。然而，碳化硅（SiC）功率MOSFET的温度敏感电参数灵敏度较低，限制了提取精度并提高了测量电路的带宽要求。本文提出了一种基于电热交互与线性模式电流响应的高灵敏度在线结温提取方法，有效解决了上述挑战。
解读: 该技术对阳光电源的SiC功率模块应用至关重要。随着公司在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC器件，结温的精确监测直接决定了功率模块的寿命预测与过温保护策略。该方法通过线性模式电流响应提升灵敏度，有助于优化逆变器及PCS的散热设计与热管理算法，从而提升...
考虑线路阻抗的多并联SiC并网逆变器稳定且超快速控制及低电压穿越能力研究
A Stable and Ultrafast Control for Multiparallel Grid-Tied SiC Inverters With LVRT Capability Considering Cable Impedance
Xuli Quan · Xiaofeng Dong · Hui Li · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月
多并联并网逆变器在弱电网环境下，尤其是在低电压穿越（LVRT）期间的稳定性面临严峻挑战。基于SiC器件的逆变器虽具备高效率、高功率密度和快速动态响应优势，但其高带宽特性可能加剧并网系统的谐振与稳定性问题。本文提出了一种考虑线路阻抗的稳定且超快控制策略，以提升SiC逆变器在复杂电网条件下的运行可靠性。
解读: 该研究直接契合阳光电源组串式逆变器及PowerTitan储能变流器（PCS）的技术演进方向。随着SiC器件在高性能逆变器中的广泛应用，如何在高频开关带来的快速动态响应与弱电网环境下的稳定性之间取得平衡是核心难点。该控制策略可优化阳光电源逆变器在复杂电网下的LVRT性能，减少并联运行时的谐振风险，提升...
利用软开关电压变化率(dv/dt)整形技术抑制SiC驱动电机过电压
Mitigation of Motor Overvoltage in SiC-Based Drives Using Soft-Switching Voltage Slew-Rate (dv/dt) Profiling
Wenzhi Zhou · Mohamed Diab · Xibo Yuan · Chen Wei · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年8月
在基于碳化硅(SiC)器件的电机驱动系统中，快速开关转换带来的高电压变化率(dv/dt)会导致反射波现象，从而引起电机过电压，增加绕组绝缘压力并引发电磁干扰(EMI)问题。本文提出了一种软开关电压变化率整形技术，旨在有效缓解上述问题。
解读: 随着阳光电源在光伏逆变器和储能PCS中大规模应用SiC功率模块，高dv/dt带来的EMI和绝缘应力问题日益突出。该技术通过软开关dv/dt整形，可在不牺牲效率的前提下降低电磁干扰，这对提升阳光电源组串式逆变器及PowerTitan系列储能变流器的功率密度和可靠性具有重要参考价值。建议研发团队在下一代...
电动汽车风冷SiC逆变器的分步设计方法与异构集成路径
Stepwise Design Methodology and Heterogeneous Integration Routine of Air-Cooled SiC Inverter for Electric Vehicle
Zheng Zeng · Xin Zhang · Frede Blaabjerg · Hao Chen 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年4月
本文针对电动汽车风冷SiC逆变器缺乏系统性设计方法及异构集成路径的问题，提出了一种分步设计方法。通过采用SiC器件并取消复杂的液冷系统，旨在实现动力总成的高效、轻量化与紧凑化，为下一代电动汽车驱动系统提供技术支撑。
解读: 该研究对阳光电源的电动汽车充电桩及车载电力电子业务具有重要参考价值。虽然阳光电源目前主营光储业务，但其在功率模块封装、SiC应用及热管理方面的技术积累与该文高度契合。风冷SiC技术可显著降低系统复杂度和成本，建议研发团队关注该异构集成路径，将其应用于高功率密度充电桩的模块化设计中，通过优化热仿真与集...
一种用于SiC电机驱动的低损耗紧凑型反射波抑制器
A Low-Loss Compact Reflected Wave Canceller for SiC Motor Drives
Yu Zhang · Hui Li · Fang Z. Peng · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年3月
由于SiC器件具有极高的dv/dt，电机驱动中的反射波现象导致过电压问题日益严重。本文提出了一种低损耗、紧凑型有源反射波抑制器（ARWC），通过使用小电流器件来抑制电机端的过电压，有效解决了SiC高频开关带来的电压应力挑战。
解读: 该技术主要针对电机驱动领域，虽然阳光电源的核心业务侧重于光伏和储能，但随着SiC器件在光伏逆变器和储能变流器（PCS）中的广泛应用，高dv/dt带来的电磁兼容（EMC）和绝缘应力问题同样突出。该ARWC拓扑提供的抑制反射波思路，可为阳光电源在开发高功率密度、高开关频率的组串式逆变器或PowerTit...
基于模型的碳化硅电压源变流器死区时间优化
Model-Based Dead Time Optimization for Voltage-Source Converters Utilizing Silicon Carbide Semiconductors
Zheyu Zhang · Haifeng Lu · Daniel J. Costinett · Fred Wang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年11月
死区时间对电压源变流器的可靠性、电能质量及效率影响显著。针对碳化硅（SiC）器件，其关断时间受运行工况（轻载与满载差异超5倍）及感性负载特性（电机与电感差异超2倍）影响极大。本文提出一种基于模型的死区时间优化方法，旨在解决SiC器件在高频开关下的额外能量损耗及非线性特性问题。
解读: 该研究对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。随着公司在组串式光伏逆变器（如SG系列）及储能变流器（如PowerTitan、ST系列）中大规模应用SiC功率模块，如何精准优化死区时间以提升系统效率并降低谐波畸变至关重要。SiC器件的高开关频率特性使得死区效应更加显著，该模型化方法可直接指导研发团队...
用于混合充电站的高效率SiC基隔离三端口DC/DC变换器
High-Efficiency SiC-Based Isolated Three-Port DC/DC Converters for Hybrid Charging Stations
Ngoc Dat Dao · Dong-Choon Lee · Quoc Dung Phan · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年10月
本文提出了一种基于串联谐振变换器和双有源桥（DAB）变换器的新型隔离三端口DC/DC变换器，旨在满足电动汽车快充与慢充需求。该三端口结构通过减少组件数量，有效降低了系统的成本与体积，并简化了控制策略。
解读: 该技术对阳光电源的电动汽车充电桩及储能系统业务具有高度参考价值。三端口拓扑结构能够实现光伏、储能与充电桩的高效集成，契合公司‘光储充’一体化解决方案的发展方向。利用SiC器件提升效率和功率密度，有助于优化充电桩的体积与散热设计，降低系统成本。建议研发团队关注该拓扑在PowerTitan或PowerS...
碳化硅高温封装芯片连接材料综述
Review of Die-Attach Materials for SiC High-Temperature Packaging
Fengze Hou · Zhanxing Sun · Meiying Su · Jiajie Fan 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月
碳化硅（SiC）器件在高温、高压和高频应用中优于硅器件。为充分发挥SiC的高温潜力，电力电子封装需采用耐高温的芯片连接材料。本文综述了高温芯片连接材料的最新研究进展，分析了其在极端工况下的可靠性与热管理挑战。
解读: 随着阳光电源组串式逆变器及PowerTitan储能系统向高功率密度、高效率方向演进，SiC器件的应用已成为核心趋势。芯片连接材料（Die-attach）直接决定了功率模块在高温环境下的热阻与寿命。本文的研究对于公司提升SiC功率模块的封装可靠性、优化热设计具有重要参考价值。建议研发团队关注银烧结（S...
第 1 / 2 页