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关于“用于SiC器件高频变换器中死区效应消除和同步整流的双调制波PWM”的勘误
Erratum to “A Double-Modulation-Wave PWM for Dead-Time-Effect Elimination and Synchronous Rectification in SiC-Device-Based High-Switching-Frequency Converters” [Dec 20 13500-13513]
| 作者 | Qingzeng Yan · Xibo Yuan |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年2月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | SiC器件 PWM控制 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC器件 PWM 死区效应 同步整流 高开关频率 变换器 |
语言:
中文摘要
本文是对IEEE电力电子学汇刊（IEEE Transactions on Power Electronics）原论文作者信息的更正说明。
English Abstract
Presents corrections to author information in the above named paper.
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SunView 深度解读
该研究针对SiC器件在高频变换器中的死区效应及同步整流优化，对阳光电源的核心业务具有重要参考价值。随着公司组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC器件的应用已成为提升效率的关键。该双调制波PWM控制策略有助于进一步降低开关损耗、提升变换效率，并改善输出波形质量。建议研发团队关注该调制策略在公司下一代高频SiC功率模块中的工程化应用，以优化产品散热设计并提升系统整体可靠性。