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拓扑与电路 功率模块 PWM控制 宽禁带半导体 ★ 5.0

一种集成死区控制的栅极驱动器

A Gate Driver With Integrated Deadtime Controller

作者 Romain Grezaud · Francois Ayel · Nicolas Rouger · Jean-Christophe Crebier
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2016年1月
技术分类 拓扑与电路
技术标签 功率模块 PWM控制 宽禁带半导体
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 栅极驱动器 死区控制器 半桥 功率变换器 传输延迟 功率损耗 开关效率
语言:

中文摘要

本文提出了一种集成死区控制的栅极驱动器。在半桥功率变换器中,死区时间对于防止上下管直通至关重要,但过长的死区会增加续流损耗。针对传统隔离变换器中因数字输入传播延迟失配导致无法安全缩短死区的问题,该驱动器通过特定机制实现了死区的精确优化与控制,从而提升变换效率。

English Abstract

Deadtimes are required to avoid simultaneous conduction of high-side and low-side power transistors in half-bridge power converters. During these secure times, free-wheeling current flow generates extra power losses. Very short deadtimes are desired but they cannot be safely set in conventional isolated power converters because of a digital input propagation delay mismatch. A specific deadtime man...
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SunView 深度解读

该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器(PCS)具有重要意义。随着SiC和GaN等宽禁带半导体在阳光电源产品中的广泛应用,开关频率不断提升,对死区时间的精度要求极高。集成死区控制的驱动器能有效降低开关损耗,提升系统整体转换效率。建议研发团队关注该芯片级集成方案,将其引入下一代高功率密度逆变器及储能PCS的硬件设计中,以优化热管理并提升产品在极端工况下的可靠性。