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一种用于SiC器件高频变换器死区效应消除与同步整流的双调制波PWM方法
A Double-Modulation-Wave PWM for Dead-Time-Effect Elimination and Synchronous Rectification in SiC-Device-Based High-Switching-Frequency Converters
| 作者 | Qingzeng Yan · Xibo Yuan |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年12月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | SiC器件 PWM控制 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC器件 高开关频率 死区效应 PWM 同步整流 电压谐波 功率变换器 |
语言:
中文摘要
碳化硅（SiC）器件使功率变换器能实现100kHz以上的高频运行，但传统PWM死区会导致电压损失、低频谐波及线性调制范围缩减。本文提出一种双调制波PWM策略，通过消除死区效应并实现同步整流，有效提升了高频变换器的输出质量与效率。
English Abstract
The adoption of fast-switching silicon carbide (SiC) devices enables power converters to operate at high switching frequencies (e.g., 100 kHz). However, as a limiting factor at high switching frequencies, the dead-time in the conventional pulsewidth modulation (PWM) can cause significant voltage losses, bring serious low-frequency voltage/current harmonics, and reduce the linear modulation region ...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的高功率密度产品线至关重要。随着PowerTitan系列储能系统及组串式光伏逆变器向更高开关频率演进以减小磁性元件体积，死区效应带来的谐波和效率损失成为技术瓶颈。该双调制波PWM策略可直接应用于阳光电源的SiC基PCS及高频逆变器控制算法中，在提升转换效率的同时改善电能质量，有助于进一步优化产品体积与散热设计，增强在工商业及地面电站场景下的竞争力。