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| 作者 | Ian Laird · Xibo Yuan · James Scoltock · Andrew J. Forsyth |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2018年4月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | SiC器件 三相逆变器 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 宽禁带器件 碳化硅 (SiC) 功率密度 三相DC-AC变换器 开关频率 系统级设计 优化工具 |
语言:
中文摘要
宽禁带半导体（如SiC）的出现为实现高功率密度、高开关频率的电力电子变换器设计提供了可能。本文提出了一种系统级设计优化工具，通过整体设计方法识别最优开关频率，从而最大化变换器的整体功率密度。
English Abstract
The emergence of wide-bandgap devices, e.g., silicon carbide (SiC), has the potential to enable very high-density power converter design with high-switching frequency operation capability. A comprehensive design tool with a holistic design approach is critical to maximize the overall system power density, e.g, by identifying the optimal switching frequency. This paper presents a system level desig...
S
SunView 深度解读
该研究对于阳光电源的核心业务具有极高的参考价值。随着组串式逆变器和PowerTitan系列储能PCS向更高功率密度演进，SiC器件的应用已成为提升效率与减小体积的关键。该设计优化工具能够帮助研发团队在系统层面平衡开关频率、损耗与散热需求，从而在保证高可靠性的前提下，进一步优化产品体积与成本。建议将该优化方法集成至阳光电源的研发设计流程中，特别是在新一代高功率密度光伏逆变器及储能变流器的拓扑选型与参数优化阶段进行试点应用。