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具有降低EMI的零电压开关电流源逆变器驱动永磁同步电机
Zero-Voltage-Switching Current Source Inverter Fed PMSM Drives With Reduced EMI
| 作者 | Zheng Wang · Yang Xu · Pengcheng Liu · Yue Zhang · Jiangbiao He |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年1月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 三相逆变器 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 碳化硅 (SiC) 零电压开关 (ZVS) 电流源逆变器 (CSI) PMSM 驱动 电磁干扰 (EMI) 电力电子 |
语言:
中文摘要
碳化硅（SiC）器件因其高耐压、高开关频率和耐高温特性备受关注。然而，在电压源逆变器驱动中，SiC器件带来的电磁干扰（EMI）和过流能力受限等挑战限制了其进一步应用。本文提出了一种零电压开关电流源逆变器拓扑，旨在优化驱动性能并降低EMI。
English Abstract
The silicon carbide (SiC) devices have attracted more and more attention due to the capability of withstanding higher blocking voltage, higher switching frequency, and higher temperature. However, challenges for SiC devices applied in voltage-source-inverter fed motor drives such as electromagnetic interference (EMI) issues and limited over-current capability still limit the further application of...
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SunView 深度解读
该研究针对SiC器件在高频应用中的EMI挑战，提出了零电压开关（ZVS）拓扑，这对阳光电源的组串式光伏逆变器及储能变流器（PCS）产品线具有重要参考价值。随着阳光电源产品向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC器件的应用日益广泛。该拓扑有助于优化逆变器输出侧的电磁兼容性设计，减少滤波器体积，提升系统整体效率。建议研发团队关注该ZVS技术在PowerTitan等大功率储能变流器中的应用潜力，以进一步降低EMI并提升系统可靠性。