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基于碳化硅的两电平分相逆变器驱动电机反射波现象研究
Investigation of Reflected Wave Phenomenon in SiC-Based Two-Level Split-Phase Inverter-Fed Motor Drives
| 作者 | Abdul Basit Mirza · Kushan Choksi · Sama Salehi Vala · Ali Anwar · Fang Luo |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年4月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 三相逆变器 |
| 相关度评分 | ★★★ 3.0 / 5.0 |
| 关键词 | 碳化硅 (SiC) 反射波现象 (RWP) 两电平逆变器 电机驱动 dv/dt 分相拓扑 |
语言:
中文摘要
碳化硅（SiC）器件的高开关速度加剧了两电平电压源逆变器驱动系统中的反射波现象（RWP），导致电机侧过压和驱动侧过流。本文研究的两电平分相（2L-SP）拓扑通过分相电感降低了输出dv/dt，在缓解反射波现象方面展现出应用前景。
English Abstract
Fast switching speed of silicon carbide (SiC) exacerbates reflected wave phenomenon (RWP) in two-level (2L) voltage source inverter (VSI)-based motor drives, causing motor side overvoltage and drive side overcurrent. The 2L split-phase (2L-SP) topology shows prospects of alleviating RWP due to its lower output $\text{d}v/\text{d}t$ facilitated by split-inductors which also serve as an output react...
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SunView 深度解读
该研究关注SiC器件在电机驱动应用中的高dv/dt问题及反射波抑制，这对阳光电源的工业驱动及电动汽车充电桩业务具有参考意义。随着公司在储能PCS及光伏逆变器中大规模应用SiC器件，如何平衡高开关频率带来的效率提升与电磁兼容（EMC）、电机绝缘寿命（反射波抑制）之间的矛盾至关重要。建议研发团队关注该分相拓扑在降低输出dv/dt方面的潜力，以优化公司高功率密度逆变器产品的输出滤波器设计，提升系统可靠性。