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基于新型三态PWM方法的高频SiC三相电压源逆变器共模电压抑制与性能提升

High-Frequency SiC Three-Phase VSIs With Common-Mode Voltage Reduction and Improved Performance Using Novel Tri-State PWM Method

作者 Junzhong Xu · Jingwen Han · Yong Wang · Muhammad Ali · Houjun Tang
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2019年2月
技术分类 拓扑与电路
技术标签 SiC器件 PWM控制 三相逆变器 功率模块
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 共模电压 SiC VSI 三态 PWM 三相逆变器 电力电子 CMV 抑制 高频开关
语言:

中文摘要

针对高频SiC三相电压源逆变器(VSI)中严重的共模电压(CMV)问题,传统基于Si器件的抑制策略往往难以实施且牺牲了系统性能。本文提出了一种新型三态PWM调制方法,在有效抑制CMV的同时,显著提升了逆变器的综合性能。

English Abstract

Common-mode voltage (CMV) problem brings severe negative effects in three-phase voltage source inverters (VSIs), particularly for high-frequency silicon (Si) carbide (SiC) VSIs. However, most traditional CMV reduction strategies, which are studied based on Si VSIs, are hard to be implemented and sacrifice the other performance of the VSIs. To overcome such drawbacks, this paper proposes a novel ge...
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SunView 深度解读

该研究直接契合阳光电源组串式光伏逆变器及储能变流器(PCS)向高频化、高功率密度发展的趋势。随着SiC器件在PowerTitan等储能系统及新一代组串式逆变器中的广泛应用,高频开关带来的共模干扰(EMI)已成为产品设计的核心挑战。该新型三态PWM方法无需增加额外硬件成本即可优化CMV,有助于提升阳光电源产品的电磁兼容性(EMC)表现,减少滤波器体积,进一步提升整机效率与功率密度,建议研发团队评估其在下一代高频SiC逆变平台中的工程化可行性。