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用于中压碳化硅器件精确动态特性表征的改进型双脉冲测试
Improved Double Pulse Test for Accurate Dynamic Characterization of Medium Voltage SiC Devices
| 作者 | Haiguo Li · Zihan Gao · Ruirui Chen · Fei Wang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年2月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 双脉冲测试 中压 SiC器件 动态特性表征 寄生电容 电力电子 测量精度 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种改进的双脉冲测试（DPT）方法，用于精确表征中压（MV）碳化硅（SiC）器件的动态特性。文章分析了低压与中压DPT测试平台在接地方式上的差异及其对测量结果的影响，并深入探讨了测试电路中寄生参数对动态测试精度的干扰，为高压功率器件的评估提供了优化方案。
English Abstract
This article presents an improved double pulse test (DPT) for accurate dynamic characterization of the medium voltage (MV) silicon carbide device. The difference between low voltage (LV) and MV DPT setup grounding is first introduced, which results in different measurement considerations. Then, parasitic capacitances in the DPT and their impact on the DPT are discussed considering different ground...
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SunView 深度解读
该研究对阳光电源的高压储能系统（如PowerTitan系列）及集中式光伏逆变器至关重要。随着公司产品向更高电压等级（如1500V及以上）演进，SiC器件的应用日益广泛。该改进型双脉冲测试方法能有效提升对中压SiC器件开关损耗和动态特性的评估精度，有助于优化逆变器及PCS的功率模块设计，降低开关损耗，提升整机效率。建议研发团队在功率模块选型及驱动电路设计阶段引入该测试标准，以提升高压电力电子变换器的可靠性与功率密度。