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一种基于精确过电压时间估计的SiC MOSFET关断过电压预测方法
A Concise Analytical Datasheet-Driven Turn-Off Overvoltage Prediction Method for SiC MOSFET Based on Accurate Overvoltage Timing Estimation
| 作者 | Yunchan Wu · Zhiqiang Wang · Cheng Qian · Yimin Zhou · Xiaojie Shi · Wubin Kong |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2026年2月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 关断过电压 解析模型 数据手册驱动 电力电子 开关暂态 可靠性 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种基于数据手册的SiC MOSFET关断过电压解析预测方法。通过建立区分过电压点与关断瞬态结束点的线性简化模型，推导了过电压预测的简洁表达式，实现了对关断过电压的精确估计，为功率器件的可靠性设计提供了理论支持。
English Abstract
An analytical datasheet-driven turn-off overvoltage prediction method is proposed in this article. First, a linearly simplified turn-off transition model distinguishing overvoltage point from the end of the turn-off transient is presented. Additionally, a concise expression for turn-off overvoltage prediction is derived based on accurate overvoltage timing estimation. Moreover, the processes of pa...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在组串式逆变器和PowerTitan储能系统中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率，关断过电压问题直接影响系统的可靠性与EMI性能。该方法无需繁琐的实验测试，仅利用数据手册参数即可进行快速预测，有助于研发团队在设计初期优化驱动电路参数（如栅极电阻），降低SiC器件失效风险。建议在下一代高频化、高功率密度逆变器及PCS产品的设计流程中引入该模型，以缩短研发周期并提升产品在极端工况下的鲁棒性。