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无底板SiC MOSFET功率模块封装方案研究
Investigation of Packaging Solutions for SiC MOSFET Baseplateless Modules
| 作者 | Elena Mengotti · Ivana Kovacevic-Badstuebner · Enea Bianda · Christoph Kenel · Denis Musella · Amanda Pasqualini · Gerd Schlottig · Joni Jormanainen · Joni-Markus Hietanen · Ulrike Grossner |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2026年2月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 无底板功率模块 功率循环 可靠性 封装技术 1200 V 长期可靠性 |
语言:
中文摘要
本文对四家供应商的1200V碳化硅（SiC）MOSFET无底板功率模块进行了功率循环能力对比研究。通过统计学分析评估了不同封装技术下的长期可靠性表现，旨在客观对比各封装方案的性能差异。
English Abstract
This article presents a comparative study on power cycling capabilities of 1200 V Silicon Carbide (SiC) mosfet baseplateless power modules with similar current rating from four suppliers, which employ different packaging techniques. The PC test results have been evaluated with sufficient statistics in order to address the long-term reliability performance and to objectively compare the different p...
S
SunView 深度解读
该研究直接关系到阳光电源核心产品（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统）中功率模块的选型与可靠性设计。随着SiC器件在光伏和储能变流器中的广泛应用，无底板封装技术能有效提升功率密度并降低系统成本。阳光电源应参考该研究的功率循环测试方法，建立针对不同供应商SiC模块的可靠性评估标准，优化模块封装工艺，以提升产品在严苛环境下的长期运行寿命，确保PowerTitan等高端储能产品在全生命周期内的性能稳定性。