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用于SiC MOSFET快速短路保护的自适应电流阈值
Adaptive Current Threshold for Rapid Short-Circuit Protection of SiC MOSFETs
| 作者 | Jiahong Liu · Xing Wei · Bo Yao · Huai Wang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2026年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 短路保护 自适应阈值 电力电子 可靠性 宽禁带器件 |
语言:
中文摘要
由于碳化硅（SiC）MOSFET的短路耐受时间较短，实现可靠运行需要极快的短路保护。本文提出了一种针对SiC MOSFET的超快短路保护方法。该方法利用转换器运行过程中负载电流连续的特性，实现了自适应电流阈值，从而能够快速识别并响应短路故障，提升功率器件的运行可靠性。
English Abstract
Due to the limited short-circuit (SC) withstand time of silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (SiC mosfets), their reliable operation requires fast SC protection. This article proposes an ultrafast SC protection method for SiC mosfets. This method leverages the characteristic of the load current to remain continuous throughout the converter operation, enabling the adap...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率，器件的短路保护成为提升系统可靠性的核心挑战。该研究提出的自适应短路保护方法，能够有效解决SiC器件耐受时间短的痛点，避免误触发，同时确保在故障发生时实现毫秒级快速关断。建议研发团队在下一代高频化、高功率密度的逆变器及PCS产品设计中引入该保护策略，以优化驱动电路设计，降低器件失效风险，进一步提升产品在极端工况下的可靠性。