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基于关断延迟时间的SiC MOSFET老化在线结温监测
Turn-OFF Delay Time Based Online Junction Temperature Monitoring for SiC MOSFETs Over Aging
| 作者 | Bolun Zhang · Zheng Wang · Zhixiang Zou · Guanghui Shi · Yulin Qiu · Bo Du |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2026年2月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 结温 SiC MOSFET 在线监测 温度敏感电参数(TSEPs) 关断延迟时间 老化 电力电子 |
语言:
中文摘要
结温（Tj）是监测功率变换器中半导体工作状态的关键指标。本文研究了利用热敏电参数（TSEPs）实现在线结温测量的方法，重点探讨了关断延迟时间（td_off）作为TSEP在SiC MOSFET老化过程中的适用性，为功率器件的健康状态监测提供了有效手段。
English Abstract
Junction temperature (${T}_{j}$) is a crucial quantity for monitoring the working condition of semiconductors in power converter operation. Online ${T}_{j}$ measurement can be achieved by the thermo-sensitive electrical parameters (TSEPs), which should have an appropriate correspondence between itself and ${T}_{j}$. Among various TSEPs, the turn-off delay time (${t}_{d\_{\mathrm{off}}}$) shows goo...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。随着SiC MOSFET在组串式光伏逆变器和PowerTitan系列储能变流器中的广泛应用，实现高精度的在线结温监测对于提升系统可靠性至关重要。该方法通过监测关断延迟时间，无需额外传感器即可实时感知器件热应力，有助于优化逆变器在极端工况下的热管理策略，延长产品寿命。建议研发团队将其集成至iSolarCloud智能运维平台，通过大数据分析实现SiC器件的寿命预测与故障预警，从而降低运维成本，提升产品在光储电站中的竞争力。