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考虑温度依赖性的场截止型IGBT解析瞬态模型
Analytical Transient Model of Field-Stop IGBT Accounting for Temperature Dependence
作者未知 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月
如今,场截止(FS)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)(FS IGBT)已成为中高功率应用 IGBT 市场的主流产品。FS IGBT 的广泛应用使得人们对该器件进行快速准确的仿真有了强烈需求。本文提出了一种用于 FS IGBT 的解析瞬态模型。基于对 FS IGBT 开关行为的深入理解,推导了开关瞬态时 <inline-formula xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项针对场截止型IGBT的解析瞬态模型研究具有重要的工程应用价值。IGBT作为光伏逆变器和储能变流器的核心功率器件,其精确建模直接关系到产品的设计优化和可靠性提升。 该研究的核心价值在于建立了考虑结温依赖性的完整解析模型,这对我司产品开发具有三方面实际意义:首先,在逆变器...
损耗约束下对功率因数变化具有鲁棒性的三电平优化脉冲模式
Loss-Constrained Three-Level Optimized Pulse Patterns With Robustness to Power Factor Variations
Isavella Koukoula · Petros Karamanakos · Tobias Geyer · IEEE Transactions on Industry Applications · 2025年2月
本文介绍了三级优化脉冲模式(OPPs)的计算方法,该方法在限制变流器损耗的同时,能保持对功率因数变化的鲁棒性。通过在优化过程中对每个半导体开关的开关损耗和导通损耗进行约束,改善了半导体损耗与电流谐波畸变之间的权衡关系。此外,为了扩大损耗约束优化问题的解空间,从而增加优化过程的自由度,放宽了传统优化脉冲模式的对称性。再者,为了增强所提出的优化脉冲模式对功率因数变化的鲁棒性,优化问题对一定范围的功率因数而非单一功率因数下的半导体损耗进行约束,从而减少了不同负载条件下的损耗变化。如所给出的数值结果所示...
解读: 该损耗约束三电平OPP技术对阳光电源ST系列储能变流器和PowerTitan大型储能系统具有重要应用价值。通过多目标优化框架联合最小化THD和开关损耗,可直接提升三电平拓扑变流器的效率和电能质量。其对功率因数变化的鲁棒性设计,特别适用于储能系统充放电工况频繁切换场景,能有效降低SiC功率模块的热应力...
双模式控制DC/DC-DC/AC变换器系统DC/AC级参数设计方法
DC/AC Stage Parameters Design Method for Dual-Mode Control DC/DC-DC/AC Converter System
Di Kang · Hongliang Wang · Yang Jiang · Yibo Si 等7人 · IET Power Electronics · 2025年5月 · Vol.18
本文提出一种针对双模式控制DC/DC-DC/AC变换器系统的DC/AC级参数设计方法,综合优化开关频率、电感与电容参数。分析了开关频率、LC元件取值、结温、总损耗及效率之间的关系。为充分发挥DC/AC级开关器件性能,将开关频率提升至100 kHz,同时保持总损耗与效率基本不变。在1 kW应用中,LC滤波器体积减小超过50%,显著降低系统重量、体积与成本,且无需额外宽禁带器件或辅助电路。
解读: 该双模式DC/DC-DC/AC参数优化设计方法对阳光电源储能与车载产品线具有直接应用价值。在ST储能变流器中,100kHz高频开关设计可显著减小LC滤波器体积50%以上,提升功率密度,契合PowerTitan大型储能系统的集成化需求。对车载OBC充电机,该方法在不增加SiC等宽禁带器件成本前提下,通...
用于电动汽车应用的三电平NPC中IGBT功率模块非侵入式状态监测
预故障
R. Manikandan · R. Raja Singh · IEEE Transactions on Industry Applications · 2025年5月
功率半导体模块通常包含多个芯片,以满足电动汽车和工业应用对电流和电压额定值的要求。绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块底板上的焊点疲劳是功率转换器中的一种重要失效模式。这些失效在涉及常规驾驶、再生制动和加速的电动汽车应用中尤为突出。本研究引入了一种新方法,通过关注外壳的温度差异来评估IGBT模块在底板焊点疲劳过程中的健康状况。本文提出了一种精确的电热模型,可有效确定IGBT模块的结温。所设计的电热模型通过考虑器件级和模块级热参数的影响,精确估算了结温。在ANSYS和PLECS环境中,为IGBT模块...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项针对三电平NPC拓扑中IGBT模块的非侵入式状态监测技术具有重要的应用价值。尽管该研究聚焦于电动汽车领域,但其核心技术完全适用于我们的光伏逆变器和储能变流器产品线。 IGBT模块的底板焊层疲劳是功率变换器的主要失效模式,这一问题在光伏和储能系统中同样突出。光伏逆变器面...
多孔腔体内圆形LED散热器的热管理
Thermal Management of Circular Led Heat Sink in a Multi-Hole Cavity
Zouhour Araoud · Khaoula Ben Abdelmlek · Ahlem Ben Halima · Kamel Charrada 等6人 · IEEE Transactions on Industry Applications · 2025年2月
在本研究中,我们使用COMSOL Multiphysics软件,通过分数析因设计,对四个参数(灯具功率、环境温度、灯具倾斜角度以及灯具腔体上的孔洞数量)对置于多孔腔体内的LED灯结温变化的影响进行了数值分析。根据所得结果,我们使用Minitab处理软件对模型进行了优化。为此,进行了帕累托分析(方差分析),并推导了一个数学模型,用于根据可控参数估算LED灯的结温。由此,可以计算并论证不同的影响因素,特别是它们对LED芯片温度影响的相对幅度。如果LED的供电功率仍然是影响温度的首要因素,那么诸如孔洞...
解读: 该LED散热器多孔腔体热管理技术对阳光电源功率器件散热设计具有重要借鉴价值。研究中的多物理场耦合仿真方法可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中SiC/IGBT模块的热设计优化,特别是三电平拓扑中多芯片封装的温度均衡控制。开孔布局优化思路可改进PowerTitan大型储能系统的柜体通风设...
基于热电冷却器的β-Ga2O3肖特基势垒二极管主动热管理
Active Thermal Management for β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes Based on Thermoelectric Coolers
Longbing Yi · Xuefeng Zheng · Fang Zhang · Shaozhong Yue 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年5月
鉴于β - Ga₂O₃的热导率较低,有效散热对于维持其高输出功率和可靠性至关重要。本研究采用实验和数值方法,提出了一种使用热电冷却器(TEC)的β - Ga₂O₃肖特基势垒二极管(SBD)有源热管理模型。SBD产生的热量可通过热电(TE)材料的珀尔帖效应有效散发到周围环境中。实验结果表明,当TEC输入电流为6 A时,即使SBD输出功率达到25 W,管壳温度仍保持在25℃以下,与TEC关闭时相比,结温最大降低了74.5℃。当TEC输入电流为3 A时,SBD的净输出功率达到11.8 W,提升比例为3...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于热电制冷器的β-Ga2O3肖特基二极管主动热管理技术具有重要的战略意义。β-Ga2O3作为超宽禁带半导体材料,其击穿电压可达Si器件的10倍以上,理论上能够显著提升光伏逆变器和储能变流器的功率密度与效率。然而,其固有的低热导率(约为SiC的1/10)一直是制约商业化...
通过关断延迟时间灵敏度放大实现SiC MOSFET实时结温监测的新方法
A Novel Method for Real-Time Junction Temperature Monitoring of SiC Mosfet Through Sensitivity Amplification of Turn-Off Delay Time
作者未知 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月
结温是碳化硅(SiC)半导体热管理和健康状态监测的关键参数。为了监测结温,基于温度敏感电参数(TSEP)的方法正受到越来越多的关注。在SiC MOSFET的温度敏感电参数中,关断延迟时间在较宽的温度范围内具有良好的线性度。然而,SiC MOSFET关断延迟时间的温度灵敏度较低。在现有关断延迟时间的解决方案中,通常通过增加栅极驱动电阻来延长关断延迟时间并提高温度灵敏度,但这会影响被测器件(DUT)的开关过程并增加开关损耗。为应对这些挑战,本文提出了一种新颖的基于关断延迟时间的实时结温监测方法。该方...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项SiC MOSFET结温实时监测技术具有重要的应用价值。当前,SiC功率器件已成为我司光伏逆变器和储能变流器的核心部件,其可靠性直接影响系统的整体性能和寿命。结温监测是实现热管理优化和故障预警的关键技术基础。 该论文提出的方法巧妙地解决了传统关断延迟时间法温度灵敏度低...