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基于电致发光的碳化硅功率MOSFET结温测量方法
Electroluminescence-Based Junction Temperature Measurement Approach for SiC Power MOSFETs
| 作者 | Jonathan Winkler · Jan Homoth · Ingmar Kallfass |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年3月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 结温 电致发光 在线测量 功率半导体 热管理 电气隔离 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种用于碳化硅（SiC）MOSFET在线结温测量的新型电气隔离传感方法。该方法利用SiC器件在工作过程中发光光谱随温度变化的特性，实现了对功率半导体器件运行状态的实时监测，为电力电子应用中的高效热管理提供了新思路。
English Abstract
The measurement of the junction temperature of power semiconductor devices during operation is highly relevant for efficient power electronic applications. This paper presents a novel galvanic isolated sensing approach for the online junction temperature measurement of a silicon carbide (SiC) mosfet. It is based on the temperature-dependent changes in the spectrum of the light emission from the bo...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC功率模块以提升功率密度和转换效率，结温的精确监测对提升系统可靠性至关重要。该电致发光测量技术提供了一种非侵入式的在线监测手段，有助于优化逆变器及PCS的散热设计与热保护策略。建议研发团队关注该技术在功率模块封装集成中的可行性，通过实时结温反馈实现更精准的过温保护与寿命预测，从而进一步提升阳光电源全系列产品在极端工况下的长期运行可靠性。