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基于不同栅极驱动拓扑和工况的碳化硅MOSFET实时结温传感研究
Real-Time Junction Temperature Sensing for Silicon Carbide MOSFET With Different Gate Drive Topologies and Different Operating Conditions
| 作者 | He Niu · Robert D. Lorenz |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2018年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 碳化硅 (SiC) MOSFET 结温 门极驱动 开关瞬态 热传感 可靠性 |
语言:
中文摘要
本文研究了基于栅极驱动开关瞬态特性的碳化硅（SiC）MOSFET实时结温（Tj）传感方法。针对不同栅极驱动拓扑及工况，分析了开关瞬态属性对结温的敏感性，旨在解决SiC器件在复杂应用环境下的实时热监测难题，为功率模块的可靠性评估提供技术支撑。
English Abstract
The switching transient properties from the switching power semiconductor gate side are sensitive to the device's junction temperature (Tj). Real-time Tj sensing methods based on gate drive switching transient properties have been investigated on silicon MOSFET and silicon IGBT, with a conventional push-pull-type gate drive, under fixed dc-bus voltage. In this paper, this method is applied to sili...
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SunView 深度解读
该研究对阳光电源的核心产品线具有重要价值。随着公司组串式逆变器和PowerTitan系列储能系统向高功率密度、高效率方向演进，SiC器件的应用日益广泛。实时结温传感技术能够精确监测器件热状态，直接提升逆变器及PCS模块的可靠性设计水平，有助于实现更精准的过温保护及寿命预测。建议研发团队将此技术集成至iSolarCloud智能运维平台，通过实时监测关键功率器件的结温变化，实现故障预警与主动运维，从而降低运维成本，提升系统全生命周期的运行稳定性。