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基于热力学有限差分数值建模与原位数字图像相关验证的SiC MOSFET多芯片扇出型面板级封装翘曲优化
Warpage Optimization for SiC MOSFET Multichip Fan-Out Panel-Level Packaging With Thermal–Mechanical Finite-Difference Numerical Modeling and In Situ Digital Image Correlation Validation
| 作者 | Wenyu Li · Wei Chen · Jing Jiang · Wenbo Wang · Yuhan Gao · Fulong Zhu · Xuejun Fan · Guoqi Zhang · Jiajie Fan |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2026年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 多物理场耦合 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 扇出型面板级封装 SiC MOSFET 翘曲优化 热机械应力 有限差分建模 数字图像相关法 |
语言:
中文摘要
扇出型面板级封装（FOPLP）因其卓越的电热性能和成本效益，成为碳化硅（SiC）MOSFET封装的新趋势。然而，大尺寸多芯片嵌入式FOPLP在样品制备和热机械应力方面面临严峻挑战。本文针对20mm×20mm×0.78mm的大尺寸FOPLP，通过热力学有限差分建模与原位数字图像相关（DIC）技术，研究并优化了其翘曲问题，为提升功率模块的可靠性提供了理论与实验支撑。
English Abstract
Fan-out panel-level package has become a trend in silicon carbide mosfet packaging due to its superior electrothermal performance and cost-effectiveness. However, the increased size of multichip embedded fan-out panel-level packaging (FOPLP) introduces greater challenges in sample preparation and thermal–mechanical stresses. In this article, a large-sized (20 mm*20 mm*0.78 mm) FOPLP with four SiC ...
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SunView 深度解读
该研究直接关联阳光电源的核心功率模块技术。随着公司在组串式逆变器和PowerTitan等储能系统中对高功率密度和高效率的需求不断提升，SiC器件的应用已成为主流。FOPLP封装技术能有效提升SiC模块的散热能力与集成度，但其带来的翘曲与热机械应力问题是影响产品长期可靠性的关键。建议研发团队参考该文的有限差分建模与DIC验证方法，优化大功率SiC模块的封装工艺，以提升逆变器及PCS产品在极端工况下的热循环寿命与结构稳定性。