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IGBT及互连结构温度分布下Vce-Tj相关性的校准与测量
Calibration and Measurement of Vce-Tj Correlation With Temperature Distribution of IGBT and Interconnections
| 作者 | |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 日期未知 |
| 技术分类 | 可靠性与测试 |
| 技术标签 | IGBT 功率模块 可靠性分析 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | IGBT 结温 Tj估计 Vce-Tj相关性 可靠性评估 温度分布 功率半导体器件 |
语言:
中文摘要
在线结温（Tj）估计对功率半导体器件的可靠性评估至关重要。通常利用负载电流下导通电压（Vce）与结温的预校准相关性进行计算。然而，校准过程中器件内部不均匀的温度分布会影响精度。本文研究了IGBT及互连结构在温度分布影响下的Vce-Tj相关性校准与测量方法。
English Abstract
Online junction temperature (Tj) estimation for power semiconductor device insulated gate bipolar transistor is of great importance for reliability assessment and enhancement. Typically, Tj can be online calculated using the pre-calibrated correlation with on-state collector-emitter voltages (Vce) at loading current. However, the uneven temperature distribution inside the device during calibration...
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SunView 深度解读
该研究直接服务于阳光电源核心产品线（光伏逆变器、储能PCS、风电变流器）的可靠性提升。IGBT作为上述产品的核心功率器件，其结温的精准在线监测是实现寿命预测和主动热管理的关键。通过优化Vce-Tj相关性校准，可显著提升iSolarCloud平台对逆变器及PCS内部功率模块的故障预警准确度，降低因热应力导致的失效风险。建议研发团队将此校准方法集成至PowerTitan等大功率储能系统的驱动控制算法中，以实现更精细化的热保护策略，延长设备全生命周期运行寿命。