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基于H桥测试电路的功率半导体热特性表征方法
Thermal Characterization Method of Power Semiconductors Based on H-Bridge Testing Circuit
| 作者 | Ye Zhu · Ke Ma · Xu Cai |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年9月 |
| 技术分类 | 可靠性与测试 |
| 技术标签 | 功率模块 可靠性分析 热仿真 IGBT |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 功率半导体 热特性表征 H桥测试电路 开关模式 结温 功率损耗 可靠性测试 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种基于H桥测试电路的功率半导体器件热特性表征方法，涵盖了相应的控制策略与测量手段。该方法使待测器件（DUT）在开关模式下运行，更贴近实际应用场景。由于开关损耗的存在，该方法能够实现与实际工况相似的结温范围，为功率器件的热性能评估提供了更准确的测试方案。
English Abstract
This letter proposes a thermal characterization method of power semiconductor devices based on an H-bridge testing circuit, as well as its corresponding control and measurements. In the proposed method, the power semiconductor devices under test (DUTs) operate under the switching mode, which is closer to the practical use. Due to the presence of switching loss, similar ranges of junction temperatu...
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SunView 深度解读
该热特性表征方法对阳光电源的核心业务至关重要。在组串式及集中式光伏逆变器、PowerTitan系列储能变流器（PCS）的研发中，功率模块（IGBT/SiC）的结温管理直接决定了产品的可靠性与功率密度。通过采用更贴近实际开关工况的H桥测试法，研发团队能更精准地获取器件热参数，优化散热设计与寿命预测模型。建议将此方法引入功率模块的入库检测及逆变器/PCS的可靠性验证流程中，以提升极端工况下的系统稳定性，降低现场故障率，进一步巩固阳光电源在电力电子变换领域的技术领先地位。