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一种针对SiC MOSFET的新型主动温度管理策略
A Novel Active Temperature Management Strategy for SiC MOSFETs
| 作者 | Ruoyin Wang · Hong Zheng · Xiaoyong Zhu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2026年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 结温 主动热管理 栅极电阻 开关损耗 可靠性 |
语言:
中文摘要
SiC MOSFET的可靠性受非稳态工况下结温波动的影响。本文提出了一种等效栅极电阻控制方法，通过动态调节开关损耗实现器件的主动热管理（ATM）。该方法仅使用两个离散电阻，相比传统多路复用方案更具优势，有效提升了功率器件在复杂工况下的热稳定性与可靠性。
English Abstract
A major factor limiting the reliability of SiC mosfets is junction temperature fluctuation under nonstationary conditions. This article proposes an equivalent gate resistance control method to dynamically regulate switching loss, enabling active thermal management (ATM) of individual devices. Unlike conventional multiplexer-based approaches, the proposed method uses only two discrete resistors, re...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。随着组串式逆变器和PowerTitan系列储能PCS向高功率密度、高频化发展，SiC MOSFET的应用已成为主流。该主动热管理策略能有效抑制器件结温波动，直接提升逆变器在极端环境下的寿命与可靠性。建议研发团队在下一代高压SiC功率模块设计中引入该控制策略，通过优化栅极驱动电路，在不增加复杂硬件成本的前提下，提升产品在光伏电站及储能系统中的长期运行稳定性，从而降低运维成本并增强市场竞争力。