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安全工作温度范围内4H-SiC垂直DMOSFET正向运行的分析模型
Analytical Model of the Forward Operation of 4H-SiC Vertical DMOSFET in the Safe Operating Temperature Range
| 作者 | Gian Domenico Licciardo · Salvatore Bellone · Luigi Di Benedetto |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2015年10月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 4H-SiC DMOSFET 解析模型 热稳定性 寄生电阻 氧化层界面陷阱 电力电子 直流正向特性 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种用于研究4H-SiC DMOSFET热稳定性的新型分析模型。该模型通过闭式方程描述了器件在宽温度范围内的直流正向特性，并考虑了寄生电阻和氧化层界面陷阱的影响，有助于分析器件电热稳定性的起始点。
English Abstract
A new analytical model of 4H-SiC DMOSFETs that is useful to explore their thermal stability is presented. The model is capable to describe, with closed-form equations, the dc forward behavior of devices in a wide temperature range, including the effects of parasitic resistances and oxide interface traps. The model allows to analyze the on set of electrothermal stability of 4H-SiC DMOSFETs both in ...
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SunView 深度解读
该研究对阳光电源的核心业务至关重要。随着光伏逆变器和储能系统（如PowerTitan、ST系列PCS）向高功率密度和高效率演进，SiC器件的应用已成为提升系统性能的关键。该模型能够精确描述SiC MOSFET在宽温度范围内的电热特性，对于优化阳光电源产品的热设计、提升功率模块的可靠性以及在极端工况下的安全运行具有重要指导意义。建议研发团队利用该模型优化逆变器功率级电路的损耗评估与热管理策略，进一步提升产品在高温环境下的稳定性和寿命。