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电力电子封装组件高温可靠性综述
Survey of High-Temperature Reliability of Power Electronics Packaging Components
| 作者 | R. Khazaka · L. Mendizabal · D. Henry · R. Hanna |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2015年5月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 高温可靠性 电力电子封装 SiC GaN 热循环 封装材料 |
语言:
中文摘要
为充分发挥SiC和GaN等宽禁带器件的高温运行优势，本文综述了能够承受200°C以上高温存储及大热循环的封装材料。研究重点在于解决极端高温环境下电力电子封装的可靠性挑战，以满足石油钻井、航空航天等特殊应用需求。
English Abstract
In order to take the full advantage of the high-temperature SiC and GaN operating devices, package materials able to withstand high-temperature storage and large thermal cycles have been investigated. The temperature under consideration here are higher than 200 °C. Such temperatures are required for several potential applications such as down-hole oil and gas industry for well logging, aircrafts, ...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在组串式逆变器和PowerTitan储能系统中对功率密度要求的不断提升，SiC器件的应用已成为主流。该文献探讨的200°C以上高温封装技术，对于优化阳光电源逆变器及PCS的散热设计、提升功率模块在极端环境下的寿命具有重要参考价值。建议研发团队关注高温封装材料的演进，以进一步减小系统体积，提升产品在高温高湿等恶劣工况下的长期可靠性，并为下一代高功率密度产品提供技术储备。