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SiC MOSFET热瞬态测量性能指标研究
Figures-of-Merit Study for Thermal Transient Measurement of SiC MOSFETs
| 作者 | Yi Zhang · Yichi Zhang · Voon Hon Wong · Sven Kalker · Antonio Caruso · Lukas Ruppert · Francesco Iannuzzo · Rik W. de Doncker |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年9月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 热瞬态测量 TSEP SiC MOSFET 功率半导体器件 热结构 热特性表征 |
语言:
中文摘要
本文探讨了利用温度敏感电参数（TSEP）进行热瞬态测量（TTM）的方法。针对TTM测量值是否能准确反映功率半导体器件真实温度或热结构的问题，研究了其性能指标，旨在提升SiC MOSFET热特性分析的准确性与可靠性。
English Abstract
Thermal transient measurement (TTM) utilizes temperature-sensitive electrical parameters (TSEP) to analyze the thermal structure of power semiconductor devices. However, the measured physical quantities are essentially electrical parameters rather than direct temperatures. Determining whether these measurements reflect correct temperature or thermal structure of the tested device remains unclear. ...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及电动汽车充电桩中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率，器件的热管理至关重要。本文研究的TTM方法及TSEP技术，可直接指导研发团队对SiC功率模块进行更精确的热结构表征与寿命评估。建议将该研究成果应用于iSolarCloud智能运维平台的底层故障诊断，通过监测关键功率器件的热瞬态特征，实现对逆变器及储能PCS核心功率单元的早期失效预警，从而提升系统整体的可靠性与运维水平。