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考虑热失控现象的SiC MOSFET雪崩动力学模型
Avalanche Dynamics Model of SiC MOSFET Considering Thermal Runaway Phenomenon
| 作者 | Ning Wang · Jianzhong Zhang · Fujin Deng |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年8月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 雪崩动力学 SPICE模型 热失控 动态雪崩电阻 电力电子 器件可靠性 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种高精度的平面型SiC MOSFET紧凑型SPICE模型，用于预测雪崩动力学过程。该模型创新性地考虑了动态雪崩电阻，能够准确模拟安全状态下的雪崩轨迹，并描述了器件内部的热失控现象。
English Abstract
A compact SPICE model is proposed in this article, which predicts the avalanche dynamics of the planar SiC mosfet in high accuracy. Different to the existing models, the proposed model takes the dynamic avalanche resistance into consideration, so the avalanche trajectory in safety state can be accurately simulated. In novelty, the proposed model describes the thermal runaway phenomenon inside the ...
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SunView 深度解读
SiC MOSFET是阳光电源组串式逆变器、PowerTitan储能系统及电动汽车充电桩提升功率密度与效率的核心器件。该模型对雪崩动力学及热失控的精确模拟，直接有助于提升阳光电源在极端工况下的功率模块可靠性设计。建议研发团队利用该模型优化逆变器在过压冲击下的保护策略，并将其集成至功率模块的寿命预测与热管理仿真流程中，从而提升产品在复杂电网环境下的鲁棒性。