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考虑对流换热系数变化的低气压环境下SiC MOSFET寿命预测方法

A Lifetime Prediction Method for SiC MOSFET Under Low Air Pressure Environment Considering Variation of Convective Heat Transfer Coefficient

作者 Zhenye Wang · Xiong Du · Hongyu Nie · Heng-Ming Tai
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2025年11月
技术分类 功率器件技术
技术标签 SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 热仿真
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 SiC MOSFET 低气压环境 寿命预测 对流换热系数 可靠性 电力电子
语言:

中文摘要

在低气压环境(LAPE)下,空气冷却能力下降导致SiC MOSFET寿命缩短。由于缺乏针对性的寿命预测方法,量化该影响具有挑战性。本文提出了一种考虑对流换热系数变化的SiC MOSFET寿命预测新方法,旨在准确评估其在特殊环境下的可靠性。

English Abstract

In low air pressure environments (LAPE), the reduced cooling capacity of air shortens the silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (SiC mosfet’s) lifetime. Quantifying the shortened lifetime of SiC mosfet under LAPE effectively is challenging due to the lack of targeted lifetime prediction methods. This article proposes a novel lifetime prediction method that considers th...
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SunView 深度解读

该研究对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统具有重要指导意义。随着产品向高海拔、低气压地区(如高原光伏电站)部署,散热能力下降直接影响SiC功率模块的结温及寿命。该方法可优化阳光电源在极端环境下的热设计与降额策略,提升iSolarCloud智能运维平台对设备寿命的预判精度,从而降低高海拔项目的运维成本,提升系统全生命周期的可靠性。