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基于门极脉冲的SiC MOSFET器件在线温度测量方法
Online Temperature Measurement Method for SiC MOSFET Device Based on Gate Pulse
| 作者 | Xianwei Meng · Meng Zhang · Shiwei Feng · Yidan Tang · Yamin Zhang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 在线温度测量 漏源电流 电力电子器件 温度敏感特性 门极脉冲 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种基于SiC MOSFET漏源电流（Ids）与器件温度线性关系的在线测温新方法。通过研究SiC MOSFET转移特性曲线的温度敏感性，实现了在不增加额外硬件电路的情况下，利用门极脉冲信号对功率器件进行实时温度监测，为提升功率模块的运行可靠性提供了技术支撑。
English Abstract
In this article, a new online temperature measurement method for silicon carbide power metal–oxide–semiconductor field-effect transistors (mosfets) is proposed that uses the linear relationship between the drain–source current (Ids) and the temperature of power electronic devices. The temperature-sensitive characteristics of the transfer characteristic curve of these mosfets are studied. The resul...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。随着SiC器件在组串式光伏逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器中的大规模应用，精确的结温监测是实现器件寿命预测与主动热管理的关键。该方法无需额外硬件，可直接集成于iSolarCloud智能运维平台，通过实时监控SiC模块热状态，优化逆变器在极端工况下的功率输出策略，有效提升系统可靠性并降低故障率，是实现下一代高功率密度电力电子设备智能化运维的重要技术储备。