基于峰值栅极电流的IGBT结温测量

IGBT Junction Temperature Measurement via Peak Gate Current

作者	Nick Baker · Stig Munk-Nielsen · Francesco Iannuzzo · Marco Liserre
期刊	IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期	2016年5月
技术分类	功率器件技术
技术标签	IGBT 可靠性分析功率模块热仿真
相关度评分	★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词	IGBT 结温栅极电流功率半导体热监测 MOSFET 栅极电阻

语言:

中文摘要

本文提出了一种用于MOS门控功率半导体器件结温测量的电气方法。该方法通过检测IGBT或MOSFET在导通期间外部栅极电阻上的峰值电压来实现。该电压与峰值栅极电流成正比，并因栅极驱动回路中与温度相关的参数波动而随温度变化。

English Abstract

An electrical method for junction temperature measurement of MOS-gated power semiconductor devices is presented. The measurement method involves detecting the peak voltage over the external gate resistor of an insulated-gate bipolar transistor or MOSFET during turn-on. This voltage is directly proportional to the peak gate current, and fluctuates with temperature due to the temperature-dependent r...

SunView 深度解读

结温监测是提升阳光电源逆变器及储能PCS可靠性的核心技术。该方法无需额外传感器，通过监测栅极驱动回路即可实现实时结温感知，极大地降低了硬件成本。对于PowerTitan等大型储能系统及组串式逆变器，该技术可精准评估功率模块在极端工况下的热应力，从而优化热管理策略，延长IGBT使用寿命。建议研发团队将其集成至iSolarCloud平台，实现功率器件的在线健康状态（SOH）评估与故障预警，进一步提升产品全生命周期的运维效率。