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考虑沟道与体二极管动态特性的碳化硅MOSFET第三象限特性模型
Third Quadrant Characteristic Model of Silicon Carbide MOSFET Considering Channel and Body-Diode Dynamics
| 作者 | Ning Wang · Jianzhong Zhang · Yaqian Zhang · Fujin Deng |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2026年3月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 第三象限特性 反向导通 衬底浮空效应 界面态效应 温度敏感效应 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种碳化硅（SiC）MOSFET第三象限特性模型，能够精确预测其反向导通行为。该模型详细考虑了浮空衬底效应、界面态效应及温度敏感效应，从而有效评估从源极到漏极的I-V轨迹。
English Abstract
A third quadrant characteristic (3rd-QC) model is proposed in this article, which accurately predicts the reverse-conduction behaviors of the silicon carbide (SiC) mosfet. The proposed model considers the floating substrate effect, interface state effect, and temperature sensitive effect in detail, so the I-V trajectory from the source to the drain terminal could be efficiently evaluated. A dynami...
S
SunView 深度解读
该研究对于阳光电源的核心产品线（如组串式光伏逆变器、PowerTitan储能系统及电动汽车充电桩）具有极高价值。随着公司产品向高功率密度和高效率演进，SiC MOSFET已成为关键功率器件。该模型能帮助研发团队更精确地评估SiC器件在死区时间内的反向导通损耗及动态应力，优化驱动电路设计，从而提升逆变器和PCS在高温、高频工况下的可靠性与转换效率。建议在功率模块选型及驱动保护策略开发中引入该模型，以降低器件失效风险并优化系统热管理设计。