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碳化硅高温封装芯片连接材料综述
Review of Die-Attach Materials for SiC High-Temperature Packaging
| 作者 | Fengze Hou · Zhanxing Sun · Meiying Su · Jiajie Fan · Xiangan You · Jun Li · Qidong Wang · Liqiang Cao · Guoqi Zhang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年10月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 碳化硅 SiC器件 芯片连接材料 高温封装 电力电子 热管理 可靠性 |
语言:
中文摘要
碳化硅(SiC)器件在高温、高压和高频应用中优于硅器件。为充分发挥SiC的高温潜力,电力电子封装需采用耐高温的芯片连接材料。本文综述了高温芯片连接材料的最新研究进展,分析了其在极端工况下的可靠性与热管理挑战。
English Abstract
Silicon carbide (SiC) devices have shown definite advantages over Si counterparts in high-temperature, high-voltage, and high-frequency applications. To fully exploit the potentiality of SiC devices in high temperatures, die-attach materials that can withstand high temperatures for a long time are required in the power electronics packaging. In this article, the high-temperature die-attach materia...
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SunView 深度解读
随着阳光电源组串式逆变器及PowerTitan储能系统向高功率密度、高效率方向演进,SiC器件的应用已成为核心趋势。芯片连接材料(Die-attach)直接决定了功率模块在高温环境下的热阻与寿命。本文的研究对于公司提升SiC功率模块的封装可靠性、优化热设计具有重要参考价值。建议研发团队关注银烧结(Silver Sintering)等先进连接技术,以支撑下一代高可靠性、高功率密度逆变器及PCS产品的开发,进一步提升产品在极端环境下的运行稳定性。