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碳化硅功率器件结温提取技术综述
Junction Temperature Extraction for Silicon Carbide Power Devices: A Comprehensive Review
| 作者 | Huiqing Wen · Xiaoyu Li · Fei Zhang · Zifeng Qu · Yizhou Jiang · Ningyu Luo · Guangyu Wang · Xue Wang · Wen Liu · Miao Cui · Yinchao Zhao |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年2月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 碳化硅 SiC器件 结温 可靠性 电力电子 热管理 |
语言:
中文摘要
随着碳化硅（SiC）器件在电力电子领域的广泛应用，其高结温及剧烈波动带来的可靠性挑战日益凸显。本文全面综述了SiC器件结温提取的最新研究进展，探讨了不同提取方法在提升系统可靠性方面的应用价值，为解决SiC器件在高温环境下的性能评估与寿命预测提供了重要参考。
English Abstract
The complete replacement of silicon devices with silicon carbide (SiC) devices still faces many reliability challenges considering higher cost, higher junction temperature, and its wider variations. Hence, the junction temperature extraction for SiC devices becomes particularly significant recently. Furthermore, considering the latest emerging junction temperature extraction methods for SiC device...
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SunView 深度解读
结温监测是提升阳光电源SiC产品可靠性的核心技术。在PowerTitan储能系统及组串式光伏逆变器中，SiC器件的高频化应用显著提升了功率密度，但热应力管理成为关键。通过引入先进的结温提取算法，可实现对SiC模块的实时热状态监控，从而优化iSolarCloud平台的故障预警模型，实现从“事后维护”向“预测性维护”的转型。建议研发团队将此技术集成至下一代功率模块驱动电路中，以提升产品在极端工况下的长期运行稳定性。