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利用软开关电压变化率(dv/dt)整形技术抑制SiC驱动电机过电压
Mitigation of Motor Overvoltage in SiC-Based Drives Using Soft-Switching Voltage Slew-Rate (dv/dt) Profiling
| 作者 | Wenzhi Zhou · Mohamed Diab · Xibo Yuan · Chen Wei |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2022年8月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 PWM控制 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC器件 电机驱动 电压变化率 dv/dt 电机过电压 反射波 电磁干扰 软开关 |
语言:
中文摘要
在基于碳化硅(SiC)器件的电机驱动系统中,快速开关转换带来的高电压变化率(dv/dt)会导致反射波现象,从而引起电机过电压,增加绕组绝缘压力并引发电磁干扰(EMI)问题。本文提出了一种软开关电压变化率整形技术,旨在有效缓解上述问题。
English Abstract
In silicon carbide (SiC) device based motor drives, the high-voltage slew-rate (dv/dt) associated with the fast-switching transitions results in excessive motor overvoltage, due to the reflected wave phenomenon, which increases the motor winding insulation stress and causes premature failure while raising electromagnetic interference (EMI) problems. This article proposes a soft-switching voltage s...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在光伏逆变器和储能PCS中大规模应用SiC功率模块,高dv/dt带来的EMI和绝缘应力问题日益突出。该技术通过软开关dv/dt整形,可在不牺牲效率的前提下降低电磁干扰,这对提升阳光电源组串式逆变器及PowerTitan系列储能变流器的功率密度和可靠性具有重要参考价值。建议研发团队在下一代高频SiC功率模块驱动电路设计中引入该控制策略,以优化系统电磁兼容性(EMC)表现,并降低对电机或变压器绝缘等级的严苛要求。