← 返回
用于有源栅极驱动优化的SiC MOSFET高保真器件建模
High-Fidelity Device Modeling of SiC MOSFETs for Active Gate Drive Optimization
| 作者 | Qilei Wang · Yushi Wang · Matthew Appleby · Jiaqi Yan · Harry C. P. Dymond · Dawei Liu · Wing Tai Leung · Saeed Jahdi · Bernard H. Stark |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 预计 2026年5月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 PWM控制 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 有源门极驱动 开关波形 器件建模 基于仿真的优化 电力电子 门极控制参数 |
语言:
中文摘要
有源栅极驱动技术通过整形功率器件的开关波形，有效抑制电压过冲与振荡。针对智能、可编程栅极驱动器参数选择困难及硬件测试风险高的问题，本文提出了一种基于仿真的快速、安全优化方法，用于优化栅极电流路径及控制参数。
English Abstract
Active gate driving enables the shaping of switching waveforms in power devices, helping to mitigate overshoot and ringing. With the advent of smart, open-loop, programmable gate drivers, selecting gate control parameters is challenging, and testing these in hardware is time-consuming and potentially risky. This article proposes a faster, safer simulation-based method for optimizing gate current p...
S
SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线具有极高价值。随着公司在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率，开关过程中的EMI和电压应力控制成为关键。通过高保真建模优化有源栅极驱动，可显著降低开关损耗并抑制振荡，提升系统可靠性。建议研发团队将此仿真方法集成至逆变器与PCS的功率模块设计流程中，以缩短研发周期，并在高压、高频工况下实现更优的电磁兼容性设计。