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一种用于中压SiC MOSFET的信号-功率集成传输MHz脉冲变压器隔离栅驱动器
A MHz-Pulse-Transformer Isolated Gate Driver With Signal-Power Integrated Transmission for Medium-Voltage SiC MOSFETs
| 作者 | Zhehui Guo · Hui Li |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2022年8月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 PWM控制 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 隔离栅驱动器 信号功率集成传输 E 类谐振变换器 脉冲变压器 中压 栅极驱动电源 |
语言:
中文摘要
针对中压SiC MOSFET传统栅极驱动器（GD）信号与功率传输分离、电源体积庞大的问题，本文提出了一种紧凑型信号-功率集成栅极驱动器。该方案利用20MHz调制E类谐振反激电路，实现了PWM信号与驱动电源的同步传输，有效减小了驱动电路的占用空间。
English Abstract
The conventional isolated gate driver (GD) solution for the medium-voltage (MV) SiC mosfet separates the signal and power transmissions and requires a bulky GD power supply (GDPS). This article presents a signal-power integrated GD for MV SiC mosfets with a compact footprint. The proposed GD transmits both the pulsewidth modulation (PWM) signal and GD power by 20-MHz modulated class-E resonant fly...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。随着公司在中压光伏逆变器及PowerTitan系列大功率储能系统（PCS）中加速应用SiC MOSFET，驱动电路的集成度与可靠性成为提升功率密度的关键。该方案提出的信号-功率集成技术可显著缩小驱动板尺寸，降低寄生参数影响，从而提升高频开关下的系统效率与EMI性能。建议研发团队关注该MHz级谐振驱动技术，探索其在下一代高功率密度组串式逆变器及模块化储能变流器中的应用，以进一步优化产品体积与散热设计。