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拓扑与电路 SiC器件 PWM控制 三电平 ★ 4.0

一种抑制SiC基单相驱动器电机过电压的准三电平PWM方案

A Quasi-Three-Level PWM Scheme to Combat Motor Overvoltage in SiC-Based Single-Phase Drives

Mohamed S. Diab · Xibo Yuan · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年12月

宽禁带(WBG)功率器件的应用提升了电机驱动的功率密度与效率,但其高电压变化率(dv/dt)引发了严重的电机过电压振荡问题。本文提出了一种准三电平PWM调制方案,旨在有效抑制SiC器件在单相驱动应用中的电压尖峰,缓解电磁干扰及绝缘应力挑战。

解读: 该技术对阳光电源的功率器件应用及电机驱动类产品具有重要参考价值。随着SiC器件在光伏逆变器及储能PCS中的广泛应用,高dv/dt带来的EMI及绝缘老化问题日益突出。该准三电平PWM方案可优化逆变器输出波形,降低对电机或变压器绕组的电压应力,有助于提升阳光电源户用及工商业逆变器、电动汽车充电桩功率模块...

控制与算法 PWM控制 功率模块 拓扑与电路 ★ 2.0

一种旨在减轻反射波现象引起的电机过电压的输出电压畸变最小化PWM技术

PWM Technique to Minimize Output Voltage Distortion for Mitigating Motor Overvoltage Caused by the Reflected Wave Phenomenon

Sung-Oh Kim · Kyo-Beum Lee · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年3月

本文提出了一种PWM技术,旨在最小化输出电压畸变,以缓解长传输线中反射波引起的电机端过电压。在电机驱动系统中,使用高dv/dt开关会导致阻抗失配,进而引发电压反射和电机端过电压。该技术通过优化PWM策略,在抑制过电压的同时降低了电压畸变。

解读: 该技术主要针对电机驱动领域,通过优化PWM策略解决长线传输带来的反射波过电压问题。虽然阳光电源目前的核心业务聚焦于光伏逆变器、储能PCS及风电变流器,与工业电机驱动存在差异,但该研究中关于高dv/dt开关下的电压反射抑制和PWM优化方法,对阳光电源的风电变流器及大型储能系统中的长电缆连接场景具有参考...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 3.0

利用耦合电感和并联SiC器件主动抵消反射以抑制电机过电压

Motor Overvoltage Mitigation by Active Cancellation of Reflections Using Parallel SiC Devices With a Coupled Inductor

Tim Lackie · Yunlei Jiang · Luke Shillaber · Teng Long · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年9月

宽禁带器件的高开关速度提升了工业驱动逆变器的效率,但会导致逆变器与电机间短电缆产生电压反射,引发电机过电压。本文提出一种利用耦合电感和并联SiC器件主动抵消反射的方法,通过阻抗匹配抑制高频电压脉冲边缘的反射,从而有效降低电机侧过电压。

解读: 该技术主要针对电机驱动应用,虽然阳光电源核心业务为光伏和储能,但该研究中关于SiC器件的高频开关特性、阻抗匹配及电压反射抑制技术,对阳光电源的组串式逆变器及储能变流器(PCS)的功率模块设计具有重要参考价值。随着阳光电源产品向高功率密度和高开关频率演进,SiC器件的应用日益广泛,该文提出的主动抵消反...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

利用软开关电压变化率(dv/dt)整形技术抑制SiC驱动电机过电压

Mitigation of Motor Overvoltage in SiC-Based Drives Using Soft-Switching Voltage Slew-Rate (dv/dt) Profiling

Wenzhi Zhou · Mohamed Diab · Xibo Yuan · Chen Wei · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年8月

在基于碳化硅(SiC)器件的电机驱动系统中,快速开关转换带来的高电压变化率(dv/dt)会导致反射波现象,从而引起电机过电压,增加绕组绝缘压力并引发电磁干扰(EMI)问题。本文提出了一种软开关电压变化率整形技术,旨在有效缓解上述问题。

解读: 随着阳光电源在光伏逆变器和储能PCS中大规模应用SiC功率模块,高dv/dt带来的EMI和绝缘应力问题日益突出。该技术通过软开关dv/dt整形,可在不牺牲效率的前提下降低电磁干扰,这对提升阳光电源组串式逆变器及PowerTitan系列储能变流器的功率密度和可靠性具有重要参考价值。建议研发团队在下一代...

拓扑与电路 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

基于SiC的零电压开关逆变器抑制电机过电压

Motor Overvoltage Mitigation Using SiC-Based Zero-Voltage Switching Inverter

Suleman Yunus · Wenlong Ming · Carlos E. Ugalde-Loo · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年1月

本文针对碳化硅(SiC)MOSFET在高压变化率(dv/dt)下引起的电机过电压问题,提出了一种新型电感电容参数选择方法。该方法旨在通过零电压开关技术,减轻长电缆驱动系统中电缆和电机绝缘层的压力,避免局部放电和电压分布不均,从而提升系统可靠性。

解读: 该技术对阳光电源的风电变流器及工业驱动产品线具有重要参考价值。SiC器件的应用虽能提升效率和功率密度,但伴随的高dv/dt会加速电机绝缘老化。通过引入零电压开关(ZVS)拓扑及优化的滤波器参数设计,可在不牺牲效率的前提下降低电机侧电压应力。建议研发团队在下一代高频SiC变流器设计中,将此抑制策略集成...