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基于SiC的零电压开关逆变器抑制电机过电压
Motor Overvoltage Mitigation Using SiC-Based Zero-Voltage Switching Inverter
| 作者 | Suleman Yunus · Wenlong Ming · Carlos E. Ugalde-Loo |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年1月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 电机过电压 SiC MOSFET 零电压开关 dv/dt 电缆馈电驱动 绝缘应力 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文针对碳化硅(SiC)MOSFET在高压变化率(dv/dt)下引起的电机过电压问题,提出了一种新型电感电容参数选择方法。该方法旨在通过零电压开关技术,减轻长电缆驱动系统中电缆和电机绝缘层的压力,避免局部放电和电压分布不均,从而提升系统可靠性。
English Abstract
The motor overvoltage phenomenon is an issue that may arise from the high voltage slew rates ($\mathrm{d}v/\mathrm{d}t$) of silicon carbide mosfets in cable-fed drives. This can lead to substantial strain on cable and motor insulation, resulting from partial discharges and uneven voltage distribution. In line with this, this article presents a novel method to select inductor and capacitor paramete...
S
SunView 深度解读
该技术对阳光电源的风电变流器及工业驱动产品线具有重要参考价值。SiC器件的应用虽能提升效率和功率密度,但伴随的高dv/dt会加速电机绝缘老化。通过引入零电压开关(ZVS)拓扑及优化的滤波器参数设计,可在不牺牲效率的前提下降低电机侧电压应力。建议研发团队在下一代高频SiC变流器设计中,将此抑制策略集成至硬件拓扑或PWM控制算法中,以提升系统在长电缆应用场景下的长期运行可靠性,增强产品在高端工业市场的竞争力。