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用于高功率密度不同Si/SiC混合三电平有源NPC逆变器的评估
Evaluation of Different Si/SiC Hybrid Three-Level Active NPC Inverters for High Power Density
| 作者 | Li Zhang · Xiutao Lou · Chushan Li · Feng Wu · Yifan Gu · Guang Chen · Dewei Xu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年8月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | SiC器件 三电平 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | Si/SiC混合 3L-ANPC 逆变器 功率密度 开关单元 续流路径 MOSFET |
语言:
中文摘要
相比全SiC MOSFET转换器，Si/SiC混合方案是平衡性能与成本的有效途径。本文提出了一种系统性方法，基于续流路径排列，从两种开关单元生成了2-SiC和4-SiC混合三电平有源中点钳位（3L-ANPC）逆变拓扑，旨在实现高功率密度设计。
English Abstract
Compared with full-SiC mosfets converters, the hybrid utilization of Si/SiC converters is an alternative approach to achieve the tradeoff between performance and cost. A systematic method is proposed to generate 2-SiC and 4-SiC hybrid three-level active neutral-point-clamped (3L-ANPC) inverter topologies from two types of switching cells based on the arrangement of freewheeling paths. The 2-SiC hy...
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SunView 深度解读
该研究直接服务于阳光电源的核心竞争力——高功率密度逆变器设计。3L-ANPC拓扑广泛应用于阳光电源的组串式逆变器及大型集中式逆变器中。通过Si/SiC混合技术，公司可以在保持高性能的同时，显著降低大功率光伏逆变器和储能变流器（PCS）的成本，提升市场竞争力。建议研发团队评估该拓扑在PowerTitan等储能系统中的应用潜力，利用SiC器件提升开关频率以减小磁性元件体积，从而进一步优化产品功率密度与热管理水平。