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一种抑制SiC基单相驱动器电机过电压的准三电平PWM方案
A Quasi-Three-Level PWM Scheme to Combat Motor Overvoltage in SiC-Based Single-Phase Drives
| 作者 | Mohamed S. Diab · Xibo Yuan |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年12月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | SiC器件 PWM控制 三电平 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC器件 电机过电压 dv/dt PWM策略 宽禁带半导体 功率密度 开关瞬态 电机驱动 |
语言:
中文摘要
宽禁带（WBG）功率器件的应用提升了电机驱动的功率密度与效率，但其高电压变化率（dv/dt）引发了严重的电机过电压振荡问题。本文提出了一种准三电平PWM调制方案，旨在有效抑制SiC器件在单相驱动应用中的电压尖峰，缓解电磁干扰及绝缘应力挑战。
English Abstract
The emergence of fast switching wide-bandgap (WBG) power devices offers clear potential to implement higher power density and more efficient motor drives. However, the high voltage slew rate $(dv/dt)$ of switching transients brought significant challenges that can hamper the wide adoption of WBG devices in motor drive applications. Specifically, the aggravated motor overvoltage oscillation, due to...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的功率器件应用及电机驱动类产品具有重要参考价值。随着SiC器件在光伏逆变器及储能PCS中的广泛应用，高dv/dt带来的EMI及绝缘老化问题日益突出。该准三电平PWM方案可优化逆变器输出波形，降低对电机或变压器绕组的电压应力，有助于提升阳光电源户用及工商业逆变器、电动汽车充电桩功率模块的可靠性。建议研发团队在后续高频化产品设计中引入此类调制策略，以平衡高效率与系统电磁兼容性。