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一种SiC MOSFET与Si二极管混合的三相大功率三电平整流器
An SiC MOSFET and Si Diode Hybrid Three-Phase High-Power Three-Level Rectifier
| 作者 | Chushan Li · Qing-xin Guan · Jintao Lei · Chengmin Li · Yu Zhang · Shuai Wang · David Xu · Wuhua Li · Hao Ma |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年7月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | SiC器件 三电平 PFC整流 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 混合整流器 三电平 功率密度 效率 电力电子 高性价比 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种高效且低成本的混合三相三电平整流器。通过利用宽禁带器件（SiC MOSFET）与硅基器件的混合配置，在提升功率密度和效率的同时，有效解决了全SiC方案成本过高的问题，为大功率电力电子变换器提供了更具经济性的设计方案。
English Abstract
The utilization of wide bandgap devices such as silicon carbide (SiC) diode and mosfet can significantly increase the power density and the efficiency of rectifier circuits. However, SiC-based circuits always suffer from the high cost of their power stage. In this paper, a highly efficient low-cost hybrid three-phase three-level rectifier is proposed. Instead of using SiC diode and Si IGBT, it con...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的组串式逆变器及大功率储能变流器（PCS）具有重要参考价值。在追求高功率密度的同时，成本控制是产品竞争力的核心。该混合拓扑方案通过SiC与Si器件的优化组合，能够在保证高效率的前提下降低BOM成本，非常适合应用于PowerTitan等大功率储能系统及大型地面光伏逆变器。建议研发团队评估该混合拓扑在不同负载工况下的热应力分布，并考虑将其引入下一代高性价比功率模块设计中，以平衡性能与成本。