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功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

一种用于中压SiC半桥驱动的高隔离门极驱动电源

A T-Shaped High Isolation Gate Driver Power Supply for Medium-Voltage SiC Half-Bridges

作者 Fengjuan Zhang · Hao Feng · Li Ran · Jianyu Pan
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2025年8月
技术分类 功率器件技术
技术标签 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 中压 SiC器件 栅极驱动电源 隔离能力 耦合电容 T型磁芯 PCB线圈
语言:

中文摘要

针对中压宽禁带器件,隔离能力与耦合电容之间的制约是实现紧凑、高可靠门极驱动电源(GDPS)的主要障碍。本文提出了一种采用定制T型磁芯和PCB线圈的松耦合变压器,在有限空间内实现了高隔离度与低耦合电容,有效提升了驱动电路的性能。

English Abstract

For medium-voltage wide bandgap devices, the interdependence between isolation capability and coupling capacitance is the major barrier to compact and insulation-reliable gate driver power supplies (GDPS). This article proposes a loosely coupled transformer with a customized T-shaped core and printed circuit board (PCB) coils, achieving high isolation and low capacitance within a limited footprint...
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SunView 深度解读

该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统具有重要参考价值。随着阳光电源向更高电压等级(如1500V及以上)的SiC应用迈进,高dv/dt带来的共模干扰问题日益突出。该T型磁芯变压器方案能显著降低驱动电路的耦合电容,抑制共模电流,提升SiC功率模块的开关可靠性。建议研发团队评估该结构在紧凑型高功率密度逆变器中的应用,以优化驱动板布局,提升系统整体的电磁兼容性(EMC)和绝缘可靠性。