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SiC MOSFET功率模块中用于电压过冲抑制与动态电流均流的分布式解耦电容设计方法
Design Method of Distributed Decoupling Capacitors for Both Voltage Overshoot Suppression and Dynamic Current Sharing in SiC MOSFET Power Module
| 作者 | Tongyu Zhang · Shuai Xiong · Laili Wang · Hongzhou Gong · Zaojun Ma · Yan Wang · Yunqing Pei · Xu Yang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2026年2月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 功率模块 电压过冲 动态电流均流 去耦电容 开关速度 |
语言:
中文摘要
碳化硅（SiC）MOSFET因其卓越性能被广泛应用，但其快速开关特性带来的电压过冲限制了工作电压，且多芯片并联时的动态电流不均问题制约了模块性能。本文提出了一种分布式解耦电容设计方法，旨在同时抑制电压过冲并优化功率模块内部的动态电流分配，提升SiC功率模块的可靠性与工作效率。
English Abstract
The silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistor (SiC mosfet) is widely recognized for its exceptional performance attributes. However, two primary issues restrict the operational capabilities of SiC mosfet power modules. The first issue is that the rapid switching speed leads to significant voltage overshoot upon turn-off, thereby limiting the operating voltage. The second is...
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SunView 深度解读
该研究直接服务于阳光电源核心产品线（如组串式光伏逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器）中功率模块的优化。随着公司产品向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC器件的应用已成为提升效率的关键。该分布式解耦电容设计方法能有效解决SiC模块在高压、高频切换下的电压过冲问题，提升系统可靠性；同时，对于大功率模块内部的动态均流优化，有助于降低器件损耗，延长产品寿命。建议研发团队在下一代高压SiC功率模块设计中引入该解耦电容布局方案，以进一步提升产品在极端工况下的稳定性和竞争力。