← 返回
一种用于SiC器件快速瞬态测量的简单且经济的方法
Simple and Affordable Method for Fast Transient Measurements of SiC Devices
| 作者 | David Garrido · Igor Baraia-Etxaburu · Joseba Arza · Manex Barrenetxea |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年3月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC器件 快速瞬态 测量 高带宽 去偏斜 电压探头 电流探头 |
语言:
中文摘要
SiC器件的快速电压和电流瞬态测量需要高带宽探头，但商用探头昂贵且存在难以校准的延迟（去偏斜）。本文提出了一种简单且经济的测量方法，有效解决了SiC器件高频开关过程中的测量精度与时间对齐问题。
English Abstract
The measurement of fast voltage and current transients of Silicon Carbide (SiC) devices requires high bandwidth (BW) probes. Commercially available voltage and current probes can be expensive, and, in addition, the delay introduced by them must be compensated to achieve a proper time alignment (de-skew). Determining this de-skewing value is not a trivial task. In this paper, a simple and affordabl...
S
SunView 深度解读
随着阳光电源在组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC功率模块以提升功率密度和效率，精准的瞬态测试对于优化驱动电路设计、抑制电压尖峰及提升系统电磁兼容性（EMC）至关重要。该方法降低了高带宽测试的门槛，有助于研发团队在实验室环境下更高效地评估SiC器件在极端工况下的动态特性，从而优化逆变器和PCS的开关频率与死区时间设置，进一步提升产品可靠性与转换效率。