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储能系统技术 储能系统 ★ 5.0

复数耗散能量流法在次/超同步振荡源定位中的扩展

Extension of the Complex Dissipating Energy Flow Method for Sub/Super-Synchronous Oscillation Source Location

Pablo Gill Estevez · Slava Maslennikov · IEEE Transactions on Power Systems · 2025年8月

复数耗散能量流(CDEF)方法在同步发电机相关低频振荡的强迫振荡源定位中具有坚实的理论基础和良好表现,并已在新英格兰独立系统运营商中基于相量测量单元(PMU)数据成功应用。然而,传统PMU在基于逆变器资源引发的次同步振荡(SSO)频段内测量精度受限。本文提出一种适用于SSO源定位的CDEF扩展方法(SSO-CDEF),该方法基于逐点波形(POW)测量,显式考虑次同步与超同步振荡分量的贡献。通过含跟网型与构网型逆变器的IEEE 14节点系统及电磁暂态仿真生成的合成POW数据,验证了所提方法的有效性...

解读: 该SSO-CDEF次/超同步振荡源定位技术对阳光电源储能与光伏产品具有重要应用价值。针对ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器,该方法可精准定位构网型GFM与跟网型GFL控制模式下的振荡源,解决传统PMU在次同步频段测量精度不足的问题。建议将POW逐点波形测量技术集成到iSolarCloud智能运维...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 ★ 5.0

基于N端口测量的碳化硅功率模块寄生参数提取方法

Methodology for Parasitic Elements Extraction of SiC Power Module Based on N-Port Measurement

Gregory Almeida · Sebastien Serpaud · Victor Dos Santos · Bernardo Cougo 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年5月

本文提出了一种基于测量的方法,专注于提取碳化硅(SiC)功率模块换流功率回路中的 RL 元件寄生参数。该方法可视为一个封闭/半封闭盒模型,它针对被测功率模块外部可用的给定数量端口(N)进行一组散射参数(S 参数)测量。所提出的方法使我们能够在数小时内构建一个模型,该模型旨在尽可能贴近功率模块的物理特性进行行为表征。测量的不确定性和误差通过基于最小二乘法的优化回归算法进行处理,该算法采用高斯 - 牛顿 - 拉夫逊方法。为了验证目的,本文给出了使用不同样品的碳化硅功率模块的实验结果。

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于N端口测量的SiC功率模块寄生参数提取方法具有重要的工程应用价值。作为全球领先的光伏逆变器和储能系统供应商,阳光电源产品的核心竞争力很大程度上取决于功率模块的性能优化,而精确的寄生参数模型正是实现这一目标的关键基础。 该方法的核心价值在于通过S参数测量快速建立功率...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 ★ 4.0

电应力诱导的TiN/Ti/HfO2/W忆阻器损伤:电压极性和真空条件的关键作用

Electrical stress-induced damage in TiN/Ti/HfO2/W memristors: The critical role of voltage polarity and vacuum condition

Thin Solid Films · Close Modal · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

本研究探讨了在斜坡电压应力下,TiN/Ti/HfO2/W忆阻器绝缘层发生灾难性击穿所导致的损伤。结合扫描电子显微镜(SEM)和能谱分析(EDS)对损伤区域进行物理与成分表征,并在真空条件下开展原位SEM电流-电压(I–V)测量。结果表明,当负高压施加于TiN顶电极时,通常形成蠕虫状损伤结构,且此类损伤及更严重的断裂、熔融现象仅在负偏压下出现,且不在真空环境中发生;而正向电压应力下,无论外部环境如何,顶电极均未观测到损伤。

解读: 该忆阻器电应力损伤机理研究对阳光电源功率器件可靠性设计具有重要参考价值。研究揭示的电压极性与环境条件对器件失效模式的影响,可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中SiC/GaN功率模块的栅极氧化层保护设计。负偏压下的蠕虫状损伤机制提示需在PowerTitan储能系统的功率器件驱动电路中优...

光伏发电技术 ★ 5.0

具有接触退化迹象的户外暴露光伏组件表征

Characterization of Field-Exposed Photovoltaic Modules Featuring Signs of Contact Degradation

Max Liggett · Dylan J. Colvin · Andrew Ballen · Manjunath Matam 等6人 · IEEE Journal of Photovoltaics · 2025年2月

本研究对多个因在炎热潮湿气候环境中暴露而出现金属接触腐蚀迹象的光伏(PV)组件展开调查。这些组件包括两个暴露时长分别为10年和14年的多晶硅铝背场系统,以及一个暴露时长为4年的单晶硅钝化发射极背接触电池系统。采用了全面的多尺度表征方法对这些光伏组件进行详细评估。进行了电流 - 电压($I - V$)、太阳电池开路电压(Suns - $V_{\text{OC}}$)测量、电致发光成像、红外成像和紫外荧光成像,并对感兴趣的部位进行取样,采用截面扫描电子显微镜(SEM)进行分析。提出并实施了一套严格的...

解读: 该研究对阳光电源SG系列光伏逆变器配套组件的长期可靠性评估具有重要价值。研究揭示的湿热环境下金属栅线腐蚀与封装材料水解导致的接触退化机制,可直接应用于iSolarCloud智能运维平台的预测性维护算法优化。通过集成电致发光与红外热成像的诊断方法,能提升智能诊断系统对组件接触劣化的早期识别能力,在填充...

功率器件技术 SiC器件 ★ 4.0

基于无源开通延迟时间积分器的中压SiC MOSFET在线高精度结温测量

High-Accuracy Online Junction Temperature Measurement of Medium-Voltage SiC MOSFETs Based on Passive Turn-On Delay Time Integrator

作者未知 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

本信函介绍了一种基于无源导通延迟时间($t_{d,on}$)积分器的新型非侵入式高精度中压碳化硅(SiC)金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)在线结温($T_j$)测量方法。与以往研究不同,所提出的基于无源$t_{d,on}$积分器的方法无需使用大栅极电阻即可实现高精度的在线$T_j$测量。此外,该方法倾向于跟踪多芯片功率模块中所有芯片的最高$T_j$。最后,在自主研发的 3.3 kV 半桥 SiC MOSFET 模块上进行的实验验证了所提方法的有效性。实验结果表明,所提方法...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于被动开通延迟时间积分器的中压SiC MOSFET结温在线测量技术具有重要的应用价值。在我们的光伏逆变器和储能变流器产品中,功率器件的热管理一直是影响系统可靠性和寿命的关键因素,特别是随着3.3kV及以上中压SiC器件在1500V光伏系统和中压储能系统中的广泛应用。 ...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

基于沟道耗尽行为的蓝宝石衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT多场板缺陷诊断

Defect Diagnosis of AlGaN/GaN MIS-HEMTs With Multiple Field Plates Based on the Channel Depletion Behavior

Youyang Wang · Jingwen Guan · Liyan Huang · Yu Sun 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年9月

本文研究了蓝宝石衬底上具有三重场板结构的耗尽型AlGaN/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管的沟道耗尽行为,并分析了器件中的缺陷态。通过高压栅极和漏极电容-电压(CV)测量,结合电容分布模型与TCAD仿真,揭示了AlGaN/GaN界面及GaN沟道层中二维电子气(2DEG)的逐级耗尽机制。时间相关恢复测试与CV滞后测量表征了电压应力对缺陷态的影响,频变和温变CV测量进一步揭示了AlGaN与GaN层中的深能级缺陷及温度诱导的2DEG扩散效应。研究结果为高应力与高温环境下GaN HEMT的结...

解读: 该GaN MIS-HEMT缺陷诊断技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。研究揭示的沟道耗尽机制与深能级缺陷特性,可直接指导ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中GaN器件的选型与可靠性评估。多场板结构的高压特性分析为1500V光伏系统和大功率储能系统的GaN器件应用提供设计依据。时间相关恢复测试...

电动汽车驱动 ★ 4.0

2.4 kV Ga₂O₃肖特基势垒二极管在高达500°C高温下的退化特性

Degradation of 2.4-kV Ga₂O₃ Schottky Barrier Diode at High Temperatures Up to 500°C

Hunter Ellis · Wei Jia · Imteaz Rahaman · Apostoli Hillas 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年9月

制备了具有场板(FP)且场板下方带有复合SiO₂/SiNₓ介电层的Ga₂O₃肖特基势垒二极管(SBD),在室温(RT)下实现了2.4 kV的击穿电压(BV)。通过在25 °C至500 °C范围内进行电流 - 电压(I - V)和电容 - 电压(C - V)测量,分析了其电学性能和退化情况,揭示了与温度相关的输运特性、界面稳定性和器件稳定性。当温度回到室温时,二极管的正向特性几乎不变,而击穿电压从2.4 kV显著下降至700 V。这种现象表明温度导致势垒高度降低。详细分析显示,在中等温度下,变程跳...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于2.4kV Ga₂O₃肖特基势垒二极管的高温退化研究具有重要的战略参考价值。作为功率半导体领域的前沿技术,氧化镓器件凭借其超宽禁带特性(约4.8eV)在高压、高温应用场景中展现出超越传统硅基和碳化硅器件的潜力,这与我们光伏逆变器和储能系统对高效率、高功率密度的需求高...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

具有高约翰逊品质因数

>6 THz·V)的64% AlGaN沟道HFET

Jiahao Chen · Parthasarathy Seshadri · Kenneth Stephenson · Md Abdullah Mamun 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年2月

在这篇快报中,我们报道了一种采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长的、具有 Al₀.₈₇Ga₀.₁₃N 势垒层和 Al₀.₆₄Ga₀.₃₆N 沟道层的异质结场效应晶体管(HFET)。对该结构进行传输线模型(TLM)测量,结果显示其方块电阻约为 2000 Ω/□,线性欧姆接触电阻为 4.54 Ω·mm。栅长约为 200 nm、源漏间距为 4 μm 的 HFET 表现出约 40 mS/mm 的峰值跨导和约 0.6 A/mm 的高峰值漏极电流。观察到其电流增益截止频率(fₜ)为 15.7 GH...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于高铝组分AlGaN沟道的异质结场效应晶体管(HFET)技术展现出显著的应用潜力。该器件实现了6.1 THz·V的约翰逊品质因数(JFOM),标志着超宽禁带半导体在高频高压领域的重要突破。 对于光伏逆变器和储能变流器等核心产品,该技术的价值主要体现在三个维度:首先,...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 微电网 ★ 5.0

基于直接序列扩频的交流电力系统健谈型功率变换

Talkative Power Conversion based on Direct Sequence Spread Spectrum in AC Power Systems

Lei Zheng · Wei Jiang · Li Zhang · Le Peng 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年8月

高比例可再生能源、储能系统与多样化负荷的接入推动配电网向信息物理系统演进。先进通信作为现代电力系统的关键基础设施,在系统感知、测量、调度与控制中发挥重要作用。健谈型功率变换(TPC)技术利用电力电子变换器的高速调制能力,通过软件定义通信系统实现无额外硬件的通信。然而,交流线路的谐振与衰减特性给TPC带来挑战,并影响通信可靠性与数据完整性,同时载波叠加引发电磁干扰与信息安全问题。本文提出一种基于直接序列扩频(DSSS)的AC-TPC调制策略,通过优化DSSS参数将数据载波搬移至高频段,在保障通信可...

解读: 该DSSS-TPC技术为阳光电源储能与微网产品提供零成本通信方案。对于ST系列储能变流器和PowerTitan系统,可通过软件升级实现变流器间的直接通信,无需额外通信模块,降低系统成本并提升可靠性。在微网场景中,该技术可实现SG光伏逆变器、储能系统与充电桩的协调控制与应急通信,特别适用于通信基础设施...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 ★ 4.0

等压比热容的分布式测量方法研究:以吸热型碳氢燃料为例

Distributed measurement of isobaric specific heat capacities for endothermic hydrocarbon fuels

Chongkun Shaoa · Peilun Wanga · Ji Miab · Pengfei Jiang 等6人 · Energy Conversion and Management · 2025年1月 · Vol.341

采用吸热型碳氢燃料(EHFs)进行主动冷却是解决高超声速飞行器热管理问题的有效方案。EHFs的等压比热容是设计先进热管理系统的重要参数之一。然而,由于测量分辨率不足、燃料在热化学反应过程中组分发生变化以及能量守恒计算存在偏差,准确测量其等压比热容仍面临显著挑战。为应对上述挑战,本研究开发了一种新型分布式流动量热仪,其中量热微通道(Φ3.0 × 0.5,1000.0 mm)通过分辨率为0.45 mm的红外热成像技术被划分为2200个微元。基于轴向差异法,可沿微通道确定EHFs的位置-温度-组分之间...

解读: 该分布式流动量热法对阳光电源液冷热管理系统具有重要参考价值。ST系列储能变流器和PowerTitan系统在大功率运行时面临SiC器件散热挑战,文中提出的微通道高精度温度分布测量技术(0.45mm分辨率)可用于优化液冷微通道设计。特别是温度-位置-组分映射方法,能指导冷却液在298-1173K宽温域的...

光伏发电技术 ★ 5.0

印度半干旱炎热气候条件下晶体硅光伏组件性能与安全性的实验研究

Experimental Investigations on Performance and Safety of c-Si PV Modules Installed in Hot Semiarid Climatic Conditions in India

Sandeep Tiwari · Deepak Yadav · Ditipriya Bose · Manander Bangar 等6人 · IEEE Journal of Photovoltaics · 2025年9月

本研究在哈里亚纳邦马内萨尔一座 760 千瓦的并网太阳能光伏(SPV)发电厂中,对多晶硅光伏(PV)组件进行了现场测试。本研究评估了在炎热半干旱气候条件下,光伏组件度过早期阶段后出现的现场缺陷及其对组件的影响,此前未有其他研究报道过这方面内容。测试方法包括绝缘电阻测试(湿漏电电流测试)、目视检查、红外成像以及现场的 I - V 测量。安全和性能测试持续了 1 个月,结果按照相关国际电工委员会(IEC)标准进行分析,即 IEC 62446 - 2:2020、IEC 61215 - 1 - 1:20...

解读: 该研究对阳光电源SG系列光伏逆变器在高温半干旱气候区的应用具有重要参考价值。研究揭示的组件功率衰减、热斑风险和绝缘性能下降问题,可直接应用于优化逆变器的MPPT算法,通过实时监测组件温度和IV曲线特征,提前识别热斑异常并触发保护策略。对于iSolarCloud智能运维平台,可基于高温环境下的衰减规律...