← 返回
硅与碳化硅混合多电平变换器：对航空工业及其他领域的影响
Hybrid Multilevel Converter With Silicon and Silicon Carbide Devices: Impact to Aviation Industry and Beyond
| 作者 | Di Zhang · Xu She |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年6月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | SiC器件 多电平 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 混合多电平变换器 硅 碳化硅 SiC器件 电力电子 成本性能平衡 专利 |
语言:
中文摘要
本文介绍了结合硅（Si）和碳化硅（SiC）器件的混合多电平变换器专利技术。该方案通过将高频开关的SiC器件与基频开关的Si器件相结合，在成本与性能之间取得了平衡，并已在多个工业领域得到应用。
English Abstract
This letter introduces the patented hybrid multilevel converters with silicon (Si) and silicon carbide (SiC) devices (US10191531B2) and its impact to industry and academia. The patent invented a novel concept by combining high frequency switched SiC devices and fundamental frequency switched Si devices, therefore, balances the cost and performance. The patent has been implemented in the world's fi...
S
SunView 深度解读
该混合多电平拓扑通过Si与SiC的优势互补，为阳光电源提升逆变器及储能变流器（PCS）的功率密度与效率提供了重要参考。在PowerTitan等大型储能系统或高功率组串式逆变器中，采用该技术可在保证成本竞争力的前提下，显著降低开关损耗并减小磁性元件体积。建议研发团队评估该混合拓扑在兆瓦级PCS中的应用潜力，特别是在追求高效率与低成本平衡的场景下，通过优化SiC器件的配置比例，进一步提升阳光电源产品的市场竞争力。