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电动汽车驱动 可靠性分析 ★ 4.0

功率半导体器件可靠性中热模型应用综述

Review on the Thermal Models Applications in the Reliability of Power Semiconductor Device

Jun Zhang · Huixian Shen · Haiyan Sun · Zhihuan Wang · IET Power Electronics · 2025年6月 · Vol.18

本文从热参数的角度,综述了功率半导体器件的健康状态监测、结温估计、寿命预测及热管理技术。通过建立精确的热模型,可有效反映器件内部的热行为,进而提升其运行可靠性。文中分析了不同热模型的适用性及其在实时监测与寿命评估中的应用,强调了热-寿命关联模型在预测器件退化过程中的关键作用,为功率电子系统的可靠性优化提供了理论支持。

解读: 该热模型综述对阳光电源功率器件可靠性提升具有重要价值。在ST储能变流器和SG光伏逆变器中,IGBT/SiC模块的结温估计与寿命预测是核心技术难点。文中的热-寿命关联模型可直接应用于PowerTitan储能系统的实时健康监测,通过精确热模型实现功率循环与温度循环下的退化预测,优化三电平拓扑的散热设计。...

功率器件技术 SiC器件 可靠性分析 ★ 4.0

基于联合TSEPs建模的负载无关结温估计方法研究

Load-Independent Junction Temperature Estimation via Combined TSEPs Modeling for SiC MOSFETs

Meng Luo · Kun Tan · Xi Tang · Cungang Hu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月

高精度的结温估计对于碳化硅(SiC)金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)的可靠性和安全运行至关重要。利用对温度敏感的电参数(TSEPs)的方法在监测中被广泛采用,具有非侵入性和热响应快的优点。本文提出了一种与负载无关的结温模型,该模型结合了三个TSEPs,即漏极电压峰值($V_{DS,pk}$)、漏极电流峰值($I_{D,pk}$)和导通延迟时间($t_{d,on}$)。与其他依赖单个或较少TSEPs的方法相比,该模型消除了负载电压和电流的影响,从而提高了估计精度和抗干扰能力...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于多参数融合的SiC MOSFET结温估算技术具有重要的应用价值。作为全球领先的光伏逆变器和储能系统供应商,阳光电源产品中大量采用SiC功率器件以实现更高的功率密度和转换效率,而精确的结温监测是保障系统可靠性和延长器件寿命的关键技术。 该论文提出的多温敏参数(TSE...

储能系统技术 储能系统 IGBT 可靠性分析 ★ 4.0

IGBT及其互连结构温度分布下Vce-Tj关系的校准与测量

Calibration and Measurement of Vce-Tj Correlation With Temperature Distribution of IGBT and Interconnections

Guanyu Lu · Ke Ma · Yuli Feng · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月

对功率半导体器件绝缘栅双极型晶体管进行在线结温($T_j$)估计对于可靠性评估和提升至关重要。通常情况下,可以利用预先校准的结温与负载电流下的导通态集电极 - 发射极电压($V_{ce}$)之间的相关性来在线计算$T_j$。然而,校准过程中器件内部的不均匀温度分布与运行过程中的情况不同。器件内部的不均匀热分布和芯片的自热效应会导致使用预先校准的$T_j$ - $V_{ce}$相关性进行估计时出现显著误差,因为互连线上的电压降会有所不同。本文提出了一种在器件脉冲宽度调制运行下校准$T_j$ - $...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项IGBT结温在线监测技术具有重要的战略价值。IGBT作为光伏逆变器和储能变流器的核心功率器件,其可靠性直接影响系统的整体性能和寿命。当前阳光电源的逆变器产品在高温、高湿等严苛环境下运行时,IGBT的热管理是制约系统可靠性的关键因素之一。 该论文提出的创新校准方法解决了...

电动汽车驱动 SiC器件 功率模块 有限元仿真 ★ 5.0

基于温度相关集总热模型的SiC功率模块高效结温估计

Efficient Junction Temperature Estimation of SiC Power Modules Based on Temperature-Dependent Lumped Thermal Model

Yizheng Tang · Cao Zhan · Lingyu Zhu · Weicheng Wang 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年9月

碳化硅(SiC)功率模块在高温下性能优于传统硅器件,其热特性受材料温度依赖性显著影响。基于电热耦合的结温估算因迭代中频繁更新温度相关参数而效率低下。本文提出一种高效的多芯片SiC功率模块结温估算方法,构建了包含温度相关参数的非线性状态空间方程的三维集总热模型(LTM)。利用有限元仿真获得的动态热响应曲线,结合自适应粒子群优化(APSO)算法精确辨识非线性热参数。采用梯形规则-二阶后向微分(TR-BDF2)法分两阶段求解,兼顾稳定性与计算效率,计算速度较传统龙格-库塔法提升1948倍,误差控制在约...

解读: 该SiC功率模块高效结温估算技术对阳光电源多条产品线具有重要应用价值。在ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中,SiC器件已广泛应用于提升功率密度和效率,精准的结温估算可优化热管理设计,提升系统可靠性。TR-BDF2算法相比传统方法计算速度提升近2000倍,可集成至iSolarCloud智能运维平...