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基于直流母线电压下冲的SiC MOSFET在线结温估计方法
Online Junction Temperature Estimation Method for SiC MOSFETs Based on the DC Bus Voltage Undershoot
| 作者 | Yanyong Yang · Yang Wu · Xiaofeng Ding · Pinjia Zhang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 结温估计 直流母线电压下冲 可靠性 电力电子 状态监测 |
语言:
中文摘要
碳化硅（SiC）功率器件在工业应用中前景广阔，结温监测对提升系统可靠性至关重要。针对现有SiC MOSFET结温估计方法存在分辨率低、测量困难及安装复杂等问题，本文提出了一种基于直流母线电压下冲的新型结温估计方法，旨在实现高精度、易于集成的在线结温监测。
English Abstract
Silicon carbide (SiC) power devices are promising in industrial applications. Junction temperature monitoring is greatly significant for improving the reliability of devices and systems. However, state-of-the-art SiC MOSFET junction temperature estimation methods generally have drawbacks of low resolution, difficult measurement, and complicated installation. In this article, a novel junction tempe...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。随着公司在组串式光伏逆变器和PowerTitan系列储能系统中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率，结温的精确在线监测成为保障系统长期可靠性的关键。该方法无需复杂传感器，易于集成至iSolarCloud智能运维平台，可实现器件健康状态的实时预警，降低运维成本。建议研发团队将其引入下一代高功率密度逆变器及PCS的控制算法中，以优化热管理策略，延长SiC器件的使用寿命。