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基于拐点更新I-V特性的IGBT结温在线精确估计
Accurate Online Junction Temperature Estimation of IGBT Using Inflection Point Based Updated I–V Characteristics
| 作者 | Abhinav Arya · Abhishek Chanekar · Pratik Deshmukh · Amit Verma · Sandeep Anand |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年9月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | IGBT 可靠性分析 功率模块 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | IGBT 结温估计 TSEP 功率变换器 在线监测 可靠性 Vce I-V 特性 |
语言:
中文摘要
IGBT结温（Tj）的精确估计对电力电子变换器的可靠运行至关重要。本文利用高集电极电流下的导通压降（Vce）作为温度敏感电参数（TSEP），提出了一种基于I-V特性拐点更新的实时结温估计方法，旨在解决器件老化及工况变化对温度监测精度的影响。
English Abstract
The junction temperature (Tj) estimation of the insulated gate bipolar transistor (IGBT) is important for reliable operation of the power converters in various applications. For Tj estimation, on-state collector-emitter voltage (vce) at higher collector currents (ic) is widely used temperature sensitive electrical parameter (TSEP). For real-time Tj estimation, this TSEP is calibrated using the I-V...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。在组串式和集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能变流器以及风电变流器中，IGBT作为核心功率器件，其结温直接决定了系统的寿命与过载能力。通过引入基于拐点的实时结温监测算法，iSolarCloud智能运维平台可实现更精准的器件健康状态（SOH）评估与故障预警，有效提升产品在极端工况下的可靠性。建议研发团队将其集成至驱动控制板中，以实现更激进的功率密度设计，同时降低运维成本。