找到 13 条结果
考虑电压耦合效应的跟网型与构网型电池储能系统快速频率响应分析
Fast Frequency Response Analysis for Grid-Following and Grid-Forming Controlled BESS Considering Voltage Coupling Effect
Kaiyuan Su · Xiaorong Xie · Zhen Gong · Hui Liu 等6人 · IEEE Transactions on Power Delivery · 2025年6月
电池储能系统(BESS)提供的快速频率响应(FFR)对维持电力系统频率稳定至关重要。然而,在弱电网中,电压耦合效应(VCE)可能显著削弱BESS的FFR性能,尤其是在跟网型(GFL)与构网型(GFM)控制策略对比下,该效应尚未充分研究。本文提出一种计及VCE的GFL与GFM BESS的FFR建模方法,分析变换器参数与系统特性对VCE的影响,并通过电磁暂态仿真与控制硬件在环实验验证模型有效性。结果表明,VCE源于阶跃扰动下的瞬时电压跌落,导致有功支撑能力下降和频率恢复延迟;当短路比(SCR)接近2...
解读: 该研究对阳光电源ST系列储能变流器和PowerTitan储能系统在弱电网场景下的FFR性能优化具有重要指导意义。研究揭示的电压耦合效应(VCE)机理可直接应用于优化GFM/GFL控制策略切换逻辑:在SCR<2的弱电网中,通过自适应调节电压下垂系数和虚拟阻抗参数,可提升GFM模式下的频率支撑能力,减少...
IGBT及互连结构温度分布下Vce-Tj相关性的校准与测量
Calibration and Measurement of Vce-Tj Correlation With Temperature Distribution of IGBT and Interconnections
作者未知 · IEEE Transactions on Power Electronics · 日期未知
在线结温(Tj)估计对功率半导体器件的可靠性评估至关重要。通常利用负载电流下导通电压(Vce)与结温的预校准相关性进行计算。然而,校准过程中器件内部不均匀的温度分布会影响精度。本文研究了IGBT及互连结构在温度分布影响下的Vce-Tj相关性校准与测量方法。
解读: 该研究直接服务于阳光电源核心产品线(光伏逆变器、储能PCS、风电变流器)的可靠性提升。IGBT作为上述产品的核心功率器件,其结温的精准在线监测是实现寿命预测和主动热管理的关键。通过优化Vce-Tj相关性校准,可显著提升iSolarCloud平台对逆变器及PCS内部功率模块的故障预警准确度,降低因热应...
用于精确测量压接式IGBT内部结温分布的顺序Vce(T)法
Sequential Vce(T) Method for the Accurate Measurement of Junction Temperature Distribution Within Press-Pack IGBTs
Yiming Zhang · Erping Deng · Zhibin Zhao · Jie Chen 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年4月
本文提出了一种结合独立栅极控制器的顺序Vce(T)方法,用于测量压接式IGBT(PP IGBT)内部的结温分布。由于压接式封装的封闭结构和外部压力,传统测温方法难以实现,该方法有效解决了这一技术难题。
解读: 压接式IGBT(PP IGBT)是阳光电源大功率集中式光伏逆变器及大型储能系统(如PowerTitan系列)的核心功率模块。该研究提出的结温分布测量技术,能够精准捕捉高功率密度运行下的热点分布,对提升大功率变流器的热设计水平、优化散热结构及提高系统长期运行可靠性具有重要指导意义。建议研发团队将其应用...
IGBT及其互连结构温度分布下Vce-Tj关系的校准与测量
Calibration and Measurement of Vce-Tj Correlation With Temperature Distribution of IGBT and Interconnections
Guanyu Lu · Ke Ma · Yuli Feng · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月
对功率半导体器件绝缘栅双极型晶体管进行在线结温($T_j$)估计对于可靠性评估和提升至关重要。通常情况下,可以利用预先校准的结温与负载电流下的导通态集电极 - 发射极电压($V_{ce}$)之间的相关性来在线计算$T_j$。然而,校准过程中器件内部的不均匀温度分布与运行过程中的情况不同。器件内部的不均匀热分布和芯片的自热效应会导致使用预先校准的$T_j$ - $V_{ce}$相关性进行估计时出现显著误差,因为互连线上的电压降会有所不同。本文提出了一种在器件脉冲宽度调制运行下校准$T_j$ - $...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项IGBT结温在线监测技术具有重要的战略价值。IGBT作为光伏逆变器和储能变流器的核心功率器件,其可靠性直接影响系统的整体性能和寿命。当前阳光电源的逆变器产品在高温、高湿等严苛环境下运行时,IGBT的热管理是制约系统可靠性的关键因素之一。 该论文提出的创新校准方法解决了...
离散封装IGBT键合线老化监测的拐点Vce评估方法
Evaluation of Vce at Inflection Point for Monitoring Bond Wire Degradation in Discrete Packaged IGBTs
Arun Singh · Anup Anurag · Sandeep Anand · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年4月
本文提出了一种在线监测IGBT封装内键合线老化状况的新方案。该方法通过检测导通状态下集电极-发射极电压(Vce)在拐点处的变化来识别键合线退化。相比以往依赖精确老化先验知识的方法,该方案在提升监测准确性与实用性方面具有显著优势,为功率器件的寿命预测提供了新思路。
解读: IGBT是阳光电源组串式逆变器、集中式逆变器及储能PCS的核心功率器件。键合线失效是功率模块最常见的故障模式之一。该研究提出的基于Vce拐点监测的方法,无需复杂的额外传感器,极易集成于iSolarCloud智能运维平台中。建议研发团队将其应用于PowerTitan等大型储能系统及高功率密度逆变器的在...
基于非线性最小二乘法的IGBT集射极饱和电压监测的VSC变换器反馈控制数据优化
VSC Converter Feedback Control Data Optimization Based IGBT Collector Emitter Saturation Voltage Monitoring Through Nonlinear Least Squares Method
Yanjun Tian · Shaopeng Song · Xiaoqi Xu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年2月
IGBT是电力转换系统(PCS)的核心器件,其老化会导致损耗增加、温度升高甚至引发安全风险。本文提出一种基于非线性最小二乘法的Vce监测方法,通过优化反馈控制数据,实现对IGBT老化状态的精准评估,从而提升PCS的运行可靠性与安全性。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线(如PowerTitan、PowerStack储能系统及组串式/集中式光伏逆变器)具有极高的应用价值。IGBT作为PCS的核心功率器件,其健康状态直接决定了设备的寿命与运维成本。通过引入非线性最小二乘法进行Vce在线监测,阳光电源可在iSolarCloud智能运维平台中集...
基于拐点更新I-V特性的IGBT结温在线精确估计
Accurate Online Junction Temperature Estimation of IGBT Using Inflection Point Based Updated I–V Characteristics
Abhinav Arya · Abhishek Chanekar · Pratik Deshmukh · Amit Verma 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年9月
IGBT结温(Tj)的精确估计对电力电子变换器的可靠运行至关重要。本文利用高集电极电流下的导通压降(Vce)作为温度敏感电参数(TSEP),提出了一种基于I-V特性拐点更新的实时结温估计方法,旨在解决器件老化及工况变化对温度监测精度的影响。
解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。在组串式和集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能变流器以及风电变流器中,IGBT作为核心功率器件,其结温直接决定了系统的寿命与过载能力。通过引入基于拐点的实时结温监测算法,iSolarCloud智能运维平台可实现更精准的器件健康状态(...
功率器件电热特性表征中延迟时间引起的结温偏差修正
Correction of Delay-Time-Induced Maximum Junction Temperature Offset During Electrothermal Characterization of IGBT Devices
Erping Deng · Ludger Borucki · Josef Lutz · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年3月
在功率循环测试(PCT)中,利用Vce(T)法测量结温对寿命评估至关重要。然而,负载电流关断与测试脉冲施加之间的延迟时间(tmd)会导致最大结温偏差(ΔTjm)。本文指出JEDEC建议的平方根时间法存在局限性,并针对IGBT器件的电热特性表征提出了更精确的结温修正方法,以提升功率器件寿命预测的准确性。
解读: 该研究直接关系到阳光电源核心产品(如组串式/集中式逆变器、PowerTitan/PowerStack储能变流器)中功率模块的可靠性评估。逆变器与PCS在极端工况下的寿命预测依赖于准确的结温监测,而延迟时间导致的测量偏差会直接影响寿命模型的置信度。建议研发团队在PCT测试平台中引入该修正算法,优化功率...
一种基于关断电压vCE的压接式IGBT芯片表面压力分布均匀性无损监测方法
A Noninvasive Monitoring Method for Uniformity of Pressure Distribution on the Chip Surface in Single-Chip Press-Pack IGBTs With Turn-Off vCE
Tianchen Li · Feng He · Yiming Zhang · Xuebao Li 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月
压接式IGBT(PPI)芯片表面的压力分布均匀性直接影响其可靠性。目前主流的压力膜测试法具有侵入性且局限性大。本文提出了一种基于电气参数的无损监测方法,通过监测关断过程中的集电极-发射极电压(vCE)特征,实现对单芯片PPI压力分布均匀性的实时评估。
解读: 该研究对于阳光电源的高功率密度产品线(如集中式光伏逆变器和大型储能系统PowerTitan系列)具有重要参考价值。压接式IGBT在兆瓦级功率变换器中应用广泛,其压力分布直接决定了模块的散热性能与寿命。通过引入该无损监测技术,阳光电源可在iSolarCloud智能运维平台中集成功率模块健康状态评估功能...
一种用于高压IGBT传感器的新型局部电压检测模式
A Novel Local Voltage Sensing Mode for High Voltage IGBT Sensor
Yang Yang · Zehong Li · Yule Lin · Pengfei Jia 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年3月
IGBT的集电极-发射极电压(Vce)检测对电力电子系统的安全至关重要。传统检测方法受限于信号动态范围与ADC分辨率之间的矛盾。本文提出一种新型局部电压检测模式,通过优化检测电路,提升了高压IGBT在关键应用中的电压监测精度与可靠性。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。在光伏逆变器(尤其是大功率组串式和集中式)以及储能系统(PowerTitan/PowerStack)中,IGBT是核心功率器件。Vce的精准监测直接关系到短路保护、过压保护及器件健康状态评估。通过引入该新型局部电压检测模式,可以显著提升逆变器和PCS在...
一种基于VCE测量的自适应消隐电路改进型IGBT短路保护方法
An Improved IGBT Short-Circuit Protection Method With Self-Adaptive Blanking Circuit Based on V CE Measurement
Min Chen · Dehong Xu · Xingyao Zhang · Nan Zhu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年7月
IGBT短路保护是提升电力电子系统可靠性的关键。传统的基于VCE测量的短路保护方法需通过消隐电路避免误触发。本文提出了一种自适应消隐电路改进方案,旨在优化短路检测的准确性与响应速度,从而增强功率变换器在极端工况下的可靠性。
解读: 该技术直接应用于阳光电源的核心产品线,包括组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能变流器及风电变流器。IGBT作为上述产品的核心功率器件,其短路保护的可靠性直接决定了系统的故障率与使用寿命。传统的固定消隐时间方案在应对不同工况时存在误触发或保护滞后的风险,而该自适应消...
利用PWM开关振荡进行IGBT关断时间的非接触式监测
Noncontact Monitoring of IGBT Turn-OFF Time Using PWM Switching Ringing for Inverter-Fed Machine Systems
Dawei Xiang · Ning Zhao · Hao Li · Xinyu Zhang 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年10月
IGBT关断时间是评估器件结温及健康状态的关键参数。传统直接测量法存在安全与复杂性问题。本文提出一种利用PWM开关振荡进行非接触式监测的新方法,无需直接接触高压侧,即可实现对IGBT运行状态的有效监控。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线(光伏逆变器、储能PCS、风电变流器)具有极高的应用价值。作为全球领先的逆变器供应商,阳光电源的产品广泛应用于严苛环境,IGBT的可靠性直接决定了系统的寿命。该非接触式监测方法可集成至iSolarCloud智能运维平台,实现对组串式及集中式逆变器内部核心功率模块的实时健康...
超高di/dt脉冲应用中绝缘栅触发晶闸管瞬态栅极过压的电压耦合抑制技术
Voltage Coupling Enhancement for Transient Gate Overvoltage Suppression of Insulated Gate Trigger Thyristor in Ultrahigh di/dt Pulse Applications
Chao Liu · Wanjun Chen · Ruize Sun · Xiaorui Xu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年3月
本文提出了一种电压耦合增强(VCE)技术,用于抑制绝缘栅触发晶闸管(IGTT)在超高di/dt脉冲应用中的瞬态栅极过压。研究发现,由于IGTT内部栅阴极电容(Cgc)与公共源极电感(LC)产生的栅阴极电压耦合效应,导致栅极电压出现异常波动。该技术通过优化耦合路径,有效提升了器件在极端脉冲工况下的可靠性。
解读: 该研究聚焦于IGTT在超高di/dt脉冲工况下的栅极驱动保护,属于功率半导体器件驱动与保护的前沿技术。虽然阳光电源目前的主流产品(如组串式逆变器、PowerTitan储能系统)主要采用IGBT或SiC MOSFET,但该技术对于提升高功率密度、高开关速度电力电子设备的可靠性具有参考价值。在未来涉及高...