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离散封装IGBT键合线老化监测的拐点Vce评估方法
Evaluation of Vce at Inflection Point for Monitoring Bond Wire Degradation in Discrete Packaged IGBTs
| 作者 | Arun Singh · Anup Anurag · Sandeep Anand |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2017年4月 |
| 技术分类 | 可靠性与测试 |
| 技术标签 | IGBT 功率模块 可靠性分析 故障诊断 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | IGBT 键合线老化 状态监测 Vce 拐点 电力电子 可靠性 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种在线监测IGBT封装内键合线老化状况的新方案。该方法通过检测导通状态下集电极-发射极电压（Vce）在拐点处的变化来识别键合线退化。相比以往依赖精确老化先验知识的方法，该方案在提升监测准确性与实用性方面具有显著优势，为功率器件的寿命预测提供了新思路。
English Abstract
A novel scheme is proposed for online condition monitoring of bond wires present in insulated gate bipolar transistor (IGBT) package. The proposed method detects bond wire degradation using on-state collector emitter voltage at the inflection point. Previously reported condition monitoring methods based on on-state collector-emitter voltage as a precursor of aging require an accurate knowledge of ...
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阳光知情 深度解读
IGBT是阳光电源组串式逆变器、集中式逆变器及储能PCS的核心功率器件。键合线失效是功率模块最常见的故障模式之一。该研究提出的基于Vce拐点监测的方法，无需复杂的额外传感器，极易集成于iSolarCloud智能运维平台中。建议研发团队将其应用于PowerTitan等大型储能系统及高功率密度逆变器的在线健康管理（PHM）系统中，通过实时监测器件老化状态，实现从‘故障后维修’向‘预防性维护’的转变，显著提升电站运维效率，降低全生命周期运维成本。